[发明专利]闪存HTOL测试方法

说明书

本发明提供了一种闪存HTOL测试方法，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴，所述空穴在HTOL测试过程中存在丢失；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行HTOL测试，所述引入电子在所述HTOL测试过程中存在丢失，以对HTOL测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流I_ref的偏移量，从而使闪存HTOL读“0”通过，解决了闪存HTOL测试中读点失效的问题，提高闪存质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存HTOL测试方法。

背景技术

闪存(flash memory)是一种非易失性的存储器，其具有即使断电存储数据也不会丢失而能够长期保存的特点。故近年来闪存的发展十分迅速，并且具有高集成度、高存储速度和高可靠性的闪存存储器被广泛应用于包括电脑、手机、服务器等电子产品及设备中。

在半导体技术领域中，HTOL(High Temperature Operating Life test，高温操作生命期试验)用于评估半导体器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。对于闪存的可靠性而言，在数万次的循环之后的HTOL是一个主要指数。通常而言，闪存产品需要在10000次的循环之后，通过1000小时的HTOL测试。

闪存HTOL实际测试中存在若干小时后闪存测试读点(例如读“0”)失效，亟需解决闪存HTOL测试中读点失效的问题。

发明内容

本发明提供了一种闪存HTOL测试方法，以解决闪存HTOL测试中读点失效的问题。

本发明提供的闪存HTOL测试方法，包括：

提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴；

对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；

对所述闪存进行HTOL测试，所述引入电子在所述HTOL测试过程中部分丢失，以对HTOL测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。

进一步的，所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极，位于所述导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅，所述栅极单元的两侧分布有侧墙。

进一步的，对所述闪存参考单元进行编译，包括：

在所述源极上施加第一编程电压，在所述漏极上施加第二编程电压，在所述控制栅上施加第三编程电压，在所述衬底上施加第四编程电压；其中，所述第一编程电压小于所述第二编程电压；所述第二编程电压小于所述第三编程电压。

进一步的，所述第一编程电压的范围为-0.1V～0V,所述第二编程电压的范围为0.1V～0.3V，所述第三编程电压的范围为8V～10V,所述第四编程电压的范围为-1.2V～-1V。

进一步的，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。

进一步的，对所述闪存参考单元进行擦除，包括：

将所述源极和漏极均悬空，在所述控制栅上施加第一擦除电压，在所述衬底上施加第二擦除电压；其中，所述第一擦除电压为负电压，所述第二擦除电压为正电压。

进一步的，所述第一擦除电压的范围为-10V～-8V，所述第二擦除电压的范围为8V～10V。

进一步的，擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。

进一步的，对所述闪存参考单元进行编译和擦除，循环次数为10次～20次。

进一步的，对所述闪存进行HTOL测试包括：