[发明专利]垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成垂直场效应晶体管器件的方法，该方法包括：

形成从衬底的上表面突出并沿第一水平方向纵向延伸的沟道区域，其中，所述沟道区域包括在所述第一水平方向上对齐的第一沟道区域和第二沟道区域，并且所述第一沟道区域和所述第二沟道区域分别与所述衬底的第一部分和第二部分重叠；

通过去除所述衬底的第一部分在所述衬底中形成第一腔，其中所述第一腔暴露所述第一沟道区域的下表面；

在所述衬底的第一腔中形成第一底部源极/漏极；

通过去除所述衬底的第二部分在所述衬底中形成第二腔，其中所述第二腔暴露所述第二沟道区域的下表面；

在所述衬底的第二腔中形成第二底部源极/漏极；

在形成所述第一底部源极/漏极和所述第二底部源极/漏极之后，去除所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间的所述沟道区域的一部分，以将所述第一沟道区域与所述第二沟道区域分离；和

在所述第一沟道区域的一侧上形成第一栅极结构，并在所述第二沟道区域的一侧上形成第二栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一底部源极/漏极包括从所述第一底部源极/漏极的上表面朝向所述第一沟道区域突出的第一突出部分，

其中，所述第二底部源极/漏极包括从所述第二底部源极/漏极的上表面朝向所述第二沟道区域突出的第二突出部分，并且

其中，所述第一突出部分在垂直方向上具有第一厚度，所述第二突出部分在所述垂直方向上具有第二厚度，所述第一厚度和所述第二厚度不同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一底部源极/漏极包括与所述第二底部源极/漏极不同的材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在形成所述第二底部源极/漏极之前执行形成所述第一底部源极/漏极，并且

其中，所述第一底部源极/漏极包括N型场效应晶体管的底部源极/漏极，所述第二底部源极/漏极包括P型场效应晶体管的底部源极/漏极。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括形成在所述沟道区域的一侧上延伸的保护层，其中在所述保护层位于所述沟道区域的一侧的同时执行形成所述第一腔和形成所述第二腔。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一腔包括去除所述第一沟道区域的下部，并且形成所述第二腔包括去除所述第二沟道区域的下部。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第一底部源极/漏极之后执行形成所述第二腔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一腔暴露所述第一沟道区域的整个下表面，并且

其中，所述第二腔暴露所述第二沟道区域的整个下表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道区域包括：

在所述衬底上形成掩模层；和

使用所述掩模层作为蚀刻掩模蚀刻所述衬底以形成所述沟道区域。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道区域包括在所述衬底上形成多个沟道区域，

其中，所述多个沟道区域中的每一个在所述第一水平方向上纵向延伸，并且所述多个沟道区域在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开，

其中，所述多个沟道区域中的每一个包括多个第一沟道区域中的相应一个和多个第二沟道区域中的相应一个，

其中，所述多个第一沟道区域与所述第一底部源极/漏极重叠，

其中，所述多个第二沟道区域与所述第二底部源极/漏极重叠，

其中，去除所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间的所述沟道区域的一部分包括：分别去除所述多个沟道区域的多个部分，以将所述多个第一沟道区域与所述多个第二沟道区域分离。