[发明专利]垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法

说明书

提供了垂直场效应晶体管(VFET)器件和形成器件的方法。该方法可包括：形成包括第一沟道区域和第二沟道区域的沟道区域；在衬底中形成第一腔；在第一腔中形成第一底部源极/漏极；在衬底中形成第二腔；以及在第二腔中形成第二底部源极/漏极。第一腔可以暴露第一沟道区域的下表面，第二腔可以暴露第二沟道区域的下表面。该方法还可以包括：在形成第一底部源极/漏极和第二底部源极/漏极之后，去除第一沟道区域和第二沟道区域之间的沟道区域的一部分，以将第一沟道区域与第二沟道区域分离。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年7月16日在美国专利商标局(USPTO)提交的名称为“VTFET(CMOS)BOTTOM S/D FORMATION METHOD WITH INDEPENDENT CONTROL OF CHANNEL TO S/DPROXIMITY BETWEEN NMOS AND PMOS”(具有沟道对NMOS与PMOS之间的S/D邻近部的独立控制的VTFET(MOS)底部S/D形成方法)的美国临时申请No.62/698,568的优先权以及于2019年6月7日在美国专利商标局(USPTO)提交的名称为“VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR(VFET)DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME”(垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法)的美国申请No.16/434,211的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开一般涉及电子领域，更具体地，涉及垂直场效应晶体管(VFET)器件。

背景技术

由于垂直场效应晶体管(VFET)器件的高可扩展性，已经研究了VFET器件的各种结构和制造工艺。具体地，已经研究了允许控制底部源极/漏极侧结重叠并在底部源极/漏极附近形成突变结的结构和制造工艺，以改善VFET器件的性能。

发明内容

根据本发明构思的一些实施例，形成垂直场效应晶体管(VFET)器件的方法可以包括：形成沟道区域，该沟道区域从衬底的上表面突出并且沿第一水平方向纵向延伸。沟道区域可以包括在第一水平方向上对齐的第一沟道区域和第二沟道区域，并且第一沟道区域和第二沟道区域可以分别与衬底的第一部分和第二部分重叠。该方法还可以包括：通过去除衬底的第一部分在衬底中形成第一腔；在衬底的第一腔中形成第一底部源极/漏极；通过去除衬底的第二部分在衬底中形成第二腔；以及在衬底的第二腔中形成第二底部源极/漏极。第一腔可以暴露第一沟道区域的下表面，并且第二腔可以暴露第二沟道区域的下表面。该方法还可以包括：在形成第一底部源极/漏极和第二底部源极/漏极之后，去除第一沟道区域和第二沟道区域之间的沟道区域的一部分以将第一沟道区域与第二沟道区域分离；以及在第一沟道区域的一侧形成第一栅极结构并且在第二沟道区域的一侧形成第二栅极结构。

根据本发明构思的一些实施例，形成垂直场效应晶体管(VFET)器件的方法可以包括：在衬底上形成沟道区域。沟道区域可以沿第一水平方向纵向延伸并且可以包括在第一水平方向上对齐的第一沟道区域和第二沟道区域。该方法还可以包括：在衬底中形成第一底部源极/漏极；在衬底中形成第二底部源极/漏极；在形成第一底部源极/漏极和第二底部源极/漏极之后，去除第一沟道区域和第二沟道区域之间的沟道区域的一部分以将第一沟道区域与第二沟道区域分离；以及在第一沟道区域的一侧形成第一栅极结构并且在第二沟道区域的一侧形成第二栅极结构。第一沟道区域可以与第一底部源极/漏极重叠，并且第二沟道区域可以与第二底部源极/漏极重叠。