[发明专利]SRAM的存储单元结构版图、SRAM的存储单元结构及其版图有效
| 申请号： | 201910643900.0 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110400797B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 周晓君 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/11;G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 结构 版图 及其 | ||
1.一种SRAM的存储单元结构版图，其特征在于，包括：
第一有源区，第一有源区中形成有SRAM的存储单元结构的第一存储单元第二PMOS管PU1-2、第一存储单元第三PMOS管En1-1、第二存储单元第三PMOS管En2-1和第二存储单元第二PMOS管PU2-2；
第二有源区，第二有源区中形成有第一存储单元第四PMOS管En1-2、第一存储单元第一PMOS管PU1-1、第二存储单元第一PMOS管PU2-1和第二存储单元第四PMOS管En2-2，其中，第一存储单元第二PMOS管PU1-2和第一存储单元第一PMOS管PU1-1为第一存储单元的上拉管，第一存储单元第三PMOS管En1-1和第一存储单元第四PMOS管En1-2为第一存储单元的辅助管，第二存储单元第三PMOS管En2-1和第二存储单元第四PMOS管En2-2为第二存储单元的辅助管，第二存储单元第二PMOS管PU2-2和第二存储单元第一PMOS管PU2-1为第二存储单元的上拉管；
第一存储单元第二PMOS管PU1-2和第一存储单元第四PMOS管En1-2的栅极结构由第一多晶硅形成；
第一存储单元第一PMOS管PU1-1和第一存储单元第三PMOS管En1-1的栅极结构由第二多晶硅形成；
第二存储单元第一PMOS管PU2-1和第二存储单元第三PMOS管En2-1的栅极结构由第三多晶硅形成；
第二存储单元第四PMOS管En2-2和第二存储单元第二PMOS管PU2-2的栅极结构由第四多晶硅形成；
其中，第一存储单元第三PMOS管En1-1、第一存储单元第四PMOS管En1-2、第二存储单元第三PMOS管En2-1和第二存储单元第四PMOS管En2-2各自的栅极对应连接各自的源区，其各自的漏区接地VSS，其各自的衬底电极连接直流电压源Vdd，设置第一存储单元第三PMOS管En1-1、第二存储单元第三PMOS管En2-1、第一存储单元第四PMOS管En1-2和第二存储单元第四PMOS管En2-2，使第一存储单元第三PMOS管En1-1、第二存储单元第三PMOS管En2-1、第一存储单元第四PMOS管En1-2和第二存储单元第四PMOS管En2-2处于常关闭状态而永远无电流通过。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
