[发明专利]热处理装置和热处理方法在审
申请号: | 201910644087.9 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110739244A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 山口达也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔热材料 气体供给管 处理容器 流体流路 吹出孔 长度方向设置 气体供给单元 热处理装置 收纳 加热单元 空间连通 控制处理 冷却单元 冷却流体 发热体 内壁面 吹出 内壁 连通 贯通 延伸 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,包括:
收纳基片的竖长的处理容器;
气体供给单元,其具有沿所述处理容器的内壁面上下延伸的气体供给管;
加热单元,其包括设置于所述处理容器的周围的隔热材料和沿所述隔热材料的内壁面设置的发热体;和
冷却单元,其包括:形成于所述隔热材料的外侧的流体流路;以及贯通所述隔热材料的吹出孔,其一端与所述流体流路连通,另一端与所述处理容器和所述隔热材料之间的空间连通,能够向所述气体供给管吹出冷却流体,
所述吹出孔沿所述气体供给管的长度方向设置有多个。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
所述流体流路在上下方向形成有多个,
所述冷却单元具有流量调节单元,所述流量调节单元能够调节在所述多个流体流路各自中流过的冷却流体的流量。
3.如权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于:
所述多个吹出孔各自随着从一端侧向另一端侧去向斜上方倾斜。
4.如权利要求1至3中任一项所述的热处理装置,其特征在于,包括:
排热单元,其在比所述多个吹出孔靠上方处与所述空间连通,能够排出所述空间内的冷却流体。
5.如权利要求4所述的热处理装置,其特征在于:
所述排热单元和所述多个吹出孔设置于俯视时重叠的位置。
6.如权利要求4或5所述的热处理装置,其特征在于:
由所述排热单元排出的冷却流体由热交換器冷却后再次被供给到所述流体流路。
7.如权利要求1至6中任一项所述的热处理装置,其特征在于:
包括旋转轴,其可旋转地支承在所述处理容器内保持基片的基片保持件。
8.如权利要求1至7中任一项所述的热处理装置,其特征在于,包括:
第二冷却单元,其包括:第二流体流路,其形成于所述隔热材料的外侧的与所述流体流路不同的位置;以及贯通所述隔热材料的第二吹出孔,其一端与所述第二流体流路连通,另一端与所述处理容器和所述隔热材料之间的空间连通,能够向所述处理容器吹出冷却流体;
与所述流体流路及所述第二流体流路连通的流体供给通路;和
流路切换单元,其能够将所述流体供给通路的连接目的地切换至所述流体流路或所述第二流体流路。
9.如权利要求1至8中任一项所述的热处理装置,其特征在于,包括:
所述处理容器包括:下端部开放的有顶部的圆筒形状的内管;和下端部开放且覆盖所述内管的外侧的有顶部的外管,
所述内管具有使侧壁的一部分向外侧突出而形成的收纳部,
所述气体供给管收纳于所述收纳部内。
10.一种热处理方法,其特征在于,包括:
将基片收纳在竖长的处理容器内的步骤;
利用沿隔热材料的内壁面设置的发热体来加热所述处理容器的步骤,其中所述隔热材料设置于所述处理容器的周围;
从沿所述处理容器的内壁面上下延伸的气体供给管供给气体的步骤;和
利用多个吹出孔向所述气体供给管吹出冷却流体的步骤,其中所述吹出孔从形成于所述隔热材料的外侧的流体流路贯通所述隔热材料并与所述处理容器和所述隔热材料之间的空间连通,
向所述气体供给管吹出冷却流体的步骤是在执行从所述气体供给管供给气体的步骤时执行的。
11.如权利要求10所述的热处理方法,其特征在于:
包括利用多个第二吹出孔向所述处理容器吹出冷却流体的步骤,其中所述第二吹出孔从形成于所述隔热材料的外侧的第二流体流路贯通所述隔热材料并与所述处理容器和所述隔热材料之间的空间连通,
向所述处理容器吹出冷却流体的步骤是在执行从所述气体供给管供给气体的步骤时执行的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造