[发明专利]热处理装置和热处理方法在审
申请号: | 201910644087.9 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110739244A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 山口达也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔热材料 气体供给管 处理容器 流体流路 吹出孔 长度方向设置 气体供给单元 热处理装置 收纳 加热单元 空间连通 控制处理 冷却单元 冷却流体 发热体 内壁面 吹出 内壁 连通 贯通 延伸 | ||
本发明提供一种能够控制处理容器的长度方向上的气体供给管内的气体的温度的技术。本发明的一个方式的热处理装置包括:收纳基片的竖长的处理容器;气体供给单元,其具有沿上述处理容器的内壁面上下延伸的气体供给管;加热单元,其包括设置于上述处理容器的周围的隔热材料和沿上述隔热材料的内壁面设置的发热体;和冷却单元,其包括:形成于上述隔热材料的外侧的流体流路;以及贯通上述隔热材料的吹出孔,其一端与上述流体流路连通,另一端与上述处理容器和上述隔热材料之间的空间连通,能够向上述气体供给管吹出冷却流体,上述吹出孔沿上述气体供给管的长度方向设置有多个。
技术领域
本发明涉及热处理装置和热处理方法。
背景技术
人们已知对多个基片一并进行热处理的批量式的竖式热处理装置。在竖式热处理装置中,例如沿收纳基片的竖长的处理容器的长度方向设置有气体供给管,从沿气体供给管的长度方向按规定间隔形成的多个气体孔向水平方向释放气体。另外,在竖式热处理装置中,以包围处理容器的方式设置有加热装置,利用加热装置对基片和气体供给管进行加热。
另外,已知竖式热处理装置,其包括用于将空气等的冷却流体吹出到处理容器与加热装置之间的空间的冷却单元(例如参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平7-99164号公报
专利文献2:日本特开2007-221059号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够控制处理容器的长度方向上的气体供给管内的气体的温度的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的热处理装置包括:收纳基片的竖长的处理容器;气体供给单元,其具有沿上述处理容器的内壁面上下延伸的气体供给管;加热单元,其包括设置于上述处理容器的周围的隔热材料和沿上述隔热材料的内壁面设置的发热体;和冷却单元,其包括:形成于上述隔热材料的外侧的流体流路;以及贯通上述隔热材料的吹出孔,其一端与上述流体流路连通,另一端与上述处理容器和上述隔热材料之间的空间连通,能够向上述气体供给管吹出冷却流体,上述吹出孔沿上述气体供给管的长度方向设置有多个。
发明效果
依照本发明,能够控制处理容器的长度方向上的气体供给管内的气体的温度。
附图说明
图1是表示第一实施方式的热处理装置的结构例的概略图。
图2是图1的热处理装置的第一冷却单元和第二冷却单元的说明图。
图3是图1的热处理装置的排热单元的说明图。
图4是表示第二实施方式的热处理装置的结构例的概略图。
图5是表示第三实施方式的热处理装置的结构例的概略图。
附图标记说明
10 处理容器
11 内管
12 外管
13 收纳部
24 旋转轴
30 气体供给单元
31 气体供给管
32 气体孔
50 加热单元
51 隔热材料
52 发热体
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造