[发明专利]包括栅极间隔物结构的集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

在基层上的栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括：

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括在所述基层上并具有第一相对电容率的第一电介质层，以及

在所述栅极绝缘层上的栅极结构；以及

在所述栅极堆叠结构的相反侧壁上且在所述基层上的栅极间隔物结构，所述栅极间隔物结构包括在所述基层上的掩埋在位于所述栅极间隔物结构的下部处的所述栅极绝缘层的凹陷孔中的掩埋电介质层，所述掩埋电介质层包括与所述第一电介质层相同的材料。

2.如权利要求1所述的集成电路器件，其中：

所述基层包括半导体衬底和半导体层中的至少一个以及在所述半导体衬底和所述半导体层中的所述至少一个上的存储单元区和外围电路区，并且

所述栅极绝缘层、所述栅极结构和所述栅极间隔物结构在所述外围电路区中。

3.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极绝缘层还包括在所述第一电介质层上的第二电介质层，所述第二电介质层具有比所述第一相对电容率大的第二相对电容率。

4.如权利要求3所述的集成电路器件，其中所述第一电介质层具有比所述第二电介质层大的厚度。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一电介质层和所述掩埋电介质层中的每个包括硅氧化物层。

6.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极结构具有包括金属层的金属栅极结构。

7.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极结构包括顺序地位于所述栅极绝缘层上的功函数控制层、第一栅极层和第二栅极层。

8.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极间隔物结构包括：

在所述栅极结构的相反侧壁上的第一间隔物，所述第一间隔物包括第三电介质层并且具有线性条形，所述第三电介质层具有大于所述第一相对电容率的第三相对电容率；

在所述第一间隔物的侧壁上、所述掩埋电介质层的侧壁上和所述基层上的第二间隔物，所述第二间隔物与所述掩埋电介质层一体地成L形，并且包括与所述掩埋电介质层相同的材料；

在所述第二间隔物的侧壁和上部上的第三间隔物，所述第三间隔物包括与所述第一间隔物相同的材料并且具有L形；以及

在所述第三间隔物的侧壁和上部上的第四间隔物，所述第四间隔物包括与所述第二间隔物相同的材料。

9.如权利要求8所述的集成电路器件，其中所述第一间隔物和所述第三间隔物中的每个包括硅氮化物层，并且所述掩埋电介质层、所述第二间隔物和所述第四间隔物中的每个包括硅氧化物层。

10.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极间隔物结构包括：

第一间隔物，在所述栅极结构的两个相反壁上、包括第三电介质层、并具有线性条形，所述第三电介质层具有大于所述第一相对电容率的第三相对电容率；

第二间隔物，在所述第一间隔物的侧壁上和所述掩埋电介质层的侧壁上、与所述掩埋电介质层一体成线性条形、并且包括与所述掩埋电介质层相同的材料；

第三间隔物，在所述第二间隔物的侧壁上和所述基层上、包括与所述第一间隔物相同的材料、并具有L形；以及

第四间隔物，在所述第三间隔物的侧壁和上部上，并且包括与所述第二间隔物相同的材料。

11.如权利要求10所述的集成电路器件，其中所述第一间隔物和所述第三间隔物中的每个包括硅氮化物层，并且所述掩埋电介质层、所述第二间隔物和所述第四间隔物中的每个包括硅氧化物层。