[发明专利]包括栅极间隔物结构的集成电路器件

说明书

一种集成电路器件包括在基层上的栅极堆叠结构以及在栅极堆叠结构的相反侧壁上且在基层上的栅极间隔物结构，栅极堆叠结构具有栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅极结构，栅极绝缘层具有在基层上并具有第一相对电容率的第一电介质层，栅极间隔物结构包括位于基层上的掩埋在位于栅极间隔物结构的下部处的栅极绝缘层的凹陷孔中的掩埋电介质层，掩埋电介质层包括与第一电介质层相同的材料。

技术领域

实施方式涉及集成电路器件，更具体地，涉及包括栅极间隔物结构的集成电路器件。

背景技术

在集成电路器件中，栅极间隔物结构可以形成在栅极堆叠结构的两个侧壁上。由于集成电路器件高度集成，集成电路器件的栅极绝缘层的可靠性可能由于栅极间隔物结构的部件而降低。另外，由于栅极间隔物结构的部件，集成电路器件可能具有增加的寄生电容。

发明内容

根据一方面，提供一种集成电路器件，其包括：栅极堆叠结构，该栅极堆叠结构包括栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅极结构，该栅极绝缘层包括在基层上并具有第一相对电容率的第一电介质层；以及在栅极堆叠结构的两个侧壁上且在基层上的栅极间隔物结构。栅极间隔物结构包括掩埋在位于基层上的栅极间隔物结构的下部处的栅极绝缘层中的凹陷孔中的掩埋电介质层，掩埋电介质层包括与第一电介质层相同的材料。

根据另一方面，提供一种集成电路器件，其包括：栅极堆叠结构，该栅极堆叠结构包括栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅极结构，栅极绝缘层包括在基层上并具有第一相对电容率的第一电介质层以及具有大于第一相对电容率的第二相对电容率的第二电介质层，并且栅极结构包括金属层；以及在栅极堆叠结构的两个侧壁上和在基层上的栅极间隔物结构。栅极间隔物结构包括：第一间隔物，在栅极结构的两个侧壁上、包括第三电介质层、并且具有I形，该第三电介质层具有大于第一相对电容率的第三相对电容率；第二间隔物，包括掩埋在第一电介质层中的凹陷孔中的掩埋电介质层，第二间隔物在第一间隔物的下部处、第一间隔物的侧壁和掩埋电介质层的侧壁上包括与第一电介质层相同的材料、与掩埋电介质层一体设置、并且包括与掩埋电介质层相同的材料；第三间隔物，在第二间隔物的侧壁上、包括与第一间隔物相同的材料、并且具有L形；以及第四间隔物，在第三间隔物的侧壁和上部上并且包括与第二间隔物相同的材料。

根据另一方面，提供一种集成电路器件，包括：栅极堆叠结构，包括栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅极结构，栅极绝缘层包括在基层上并具有第一相对电容率的第一电介质层以及具有大于第一相对电容率的第二相对电容率的第二电介质层，并且栅极结构包括金属层；以及在栅极堆叠结构的两个侧壁上且在基层上的栅极间隔物结构。栅极间隔物结构包括：第一间隔物，在栅极结构的两个侧壁上、包括第三电介质层、并且具有I形，该第三电介质层具有大于第一相对电容率的第三相对电容率；掩埋电介质层，在第一间隔物的下部处掩埋在第一电介质层中的凹陷孔中并且具有与第一电介质层相同的材料；第二间隔物，在第一间隔物的侧壁和掩埋电介质层的侧壁和基层上，并且包括与第一间隔物相同的材料；以及第三间隔物，在第二间隔物的侧壁和上部上并且包括与掩埋电介质层相同的材料。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，附图中：

图1示出根据一实施方式的集成电路器件的俯视图；

图2示出沿图1中的线II-II'截取的剖视图；

图3示出图2的放大视图；

图4示出根据一实施方式的集成电路器件的剖视图；

图5示出图4的放大视图；

图6示出根据一实施方式的集成电路器件的剖视图；

图7示出图6的放大视图；

图8A至8D示出根据一实施方式的制造集成电路器件的方法中的阶段的剖视图；