[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；

于所述接触窗口内形成节点接触层，所述节点接触层内部具有空隙；

刻蚀所述节点接触层，利用所述空隙在所述节点接触层中形成凹陷；

于所述凹陷的节点接触层上形成接触插塞。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹陷的底部特征尺寸是其顶部特征尺寸的10％～60％。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述节点接触层表面区域形成金属硅化物。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述接触窗口的侧壁形成隔离层。

5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；

于所述接触窗口内形成节点接触层；

在所述接触窗口侧壁形成侧壁掩膜层；

利用所述侧壁掩膜层刻蚀所述节点接触层，于所述节点接触层中形成凹陷；

于所述凹陷的节点接触层上形成接触插塞。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

所述侧壁掩膜层包括隔离掩膜层和保护掩膜层；

利用所述保护掩膜层于所述节点接触层中形成下部凹陷；

利用所述隔离掩膜层于所述节点接触层中形成上部凹陷。

7.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

所述侧壁掩膜层包括多层掩膜层，利用所述多层掩膜层于所述节点接触层中形成阶梯状的所述凹陷。

8.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述节点接触层表面区域形成金属硅化物。

9.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述接触窗口的侧壁形成隔离层。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；

节点接触层，位于所述接触窗口内，所述节点接触层的顶部具有凹陷；

接触插塞，与所述节点接触层连接。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述凹陷的侧壁具有拐点。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述拐点的高度范围为所述凹陷高度的10％～80％。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述凹陷底部的特征尺寸是其顶部特征尺寸的10％～60％。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；

节点接触层，位于所述接触窗口内，所述节点接触层的顶部具有阶梯状的凹陷；

接触插塞，与所述节点接触层连接。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，阶梯状的所述凹陷包括上部凹陷和下部凹陷，所述上部凹陷的开口宽度大于所述下部凹陷。

16.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

隔离层，位于所述接触窗口的侧壁表面；

金属硅化物，位于所述节点接触层与所述接触插塞之间。