[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；于所述接触窗口内形成节点接触层，所述节点接触层内部具有空隙；刻蚀所述节点接触层，利用所述空隙在所述节点接触层中形成凹陷；于所述凹陷的节点接触层上形成接触插塞。本发明减小了节点接触层与接触插塞之间的接触电阻，改善了半导体结构的性能以及产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。

DRAM中的每一所述存储单元中的晶体管与电容器通过接触窗口电连接。随着DRAM的尺寸越来越小，接触窗口的尺寸也相应的缩减，进而导致晶体管与电容器之间的接触电阻成倍的增大。接触窗口的高阻值往往会导致整个DRAM器件的速度变慢，甚至导致芯片电性能测试的失败，有时甚至还会导致芯片的低良率甚至是零良率。

因此，如何降低接触窗口的阻值，改善DRAM器件的性能，已成为当前先进半导体制程中亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，用于解决现有的半导体结构内部接触电阻较大的问题，以改善半导体结构的性能，提高半导体结构的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；

于所述接触窗口内形成节点接触层，所述节点接触层内部具有空隙；

刻蚀所述节点接触层，利用所述空隙在所述节点接触层中形成凹陷；

于所述凹陷的节点接触层上形成接触插塞。

优选的，所述凹陷的底部特征尺寸是其顶部特征尺寸的10％～60％。

优选的，还包括：

在所述节点接触层表面区域形成金属硅化物。

优选的，还包括：

在所述接触窗口的侧壁形成隔离层。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；

于所述接触窗口内形成节点接触层；

在所述接触窗口侧壁形成侧壁掩膜层；

利用所述侧壁掩膜层刻蚀所述节点接触层，于所述节点接触层中形成凹陷；

于所述凹陷的节点接触层上形成接触插塞。

优选的，还包括：

所述侧壁掩膜层包括隔离掩膜层和保护掩膜层；

利用所述保护掩膜层于所述节点接触层中形成下部凹陷；

利用所述隔离掩膜层于所述节点接触中形成上部凹陷。

优选的，还包括：

所述侧壁掩膜层包括多层掩膜层，利用所述多层掩膜层于所述节点接触层中形成阶梯状的所述凹陷。