[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 201910645240.X | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN111223828A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 李健;黄俊杰;禹智恩;朴成根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 马金霞;何巨 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
半导体芯片;以及
连接结构,设置在所述半导体芯片的至少一侧上,并且包括第一绝缘层和电连接到所述半导体芯片的重新分布层,
其中,所述重新分布层包括多个导电图案,并且
所述多个导电图案中的至少两个具有不同程度的表面粗糙度,并且具有较高的表面粗糙度的导电图案具有比具有较低的表面粗糙度的导电图案的宽度宽的宽度。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个导电图案包括信号图案和接地图案,并且
所述接地图案的表面粗糙度大于所述信号图案的表面粗糙度。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,在具有所述较高的表面粗糙度的所述导电图案的表面和具有所述较低的表面粗糙度的所述导电图案的表面中,仅具有所述较高的表面粗糙度的所述导电图案的表面具有不规则的凹凸结构。
4.如权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述不规则的凹凸结构是表面蚀刻的不规则结构。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述导电图案的具有所述较高的表面粗糙度的表面与所述第一绝缘层接触。
6.如权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述导电图案的与具有所述较高的表面粗糙度的所述表面背对的背对表面的表面粗糙度低于所述导电图案的具有所述较高的表面粗糙度的所述表面的表面粗糙度。
7.如权利要求6所述的半导体封装件,其中,所述导电图案的具有所述较高的表面粗糙度的所述表面设置为比所述背对表面远离所述半导体芯片。
8.如权利要求6所述的半导体封装件,其中,所述导电图案的具有所述较高的表面粗糙度的所述表面和具有所述较高的表面粗糙度的所述导电图案的侧表面嵌入在所述第一绝缘层中,并且
所述背对表面与所述连接结构的第二绝缘层接触。
9.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,具有所述较高的表面粗糙度的所述导电图案具有平板形状。
10.一种半导体封装件,包括:
半导体芯片;以及
连接结构,设置在所述半导体芯片的至少一侧上,并且包括第一绝缘层和电连接到所述半导体芯片的重新分布层,
其中,所述重新分布层包括多个导电图案,并且
所述多个导电图案的与所述第一绝缘层接触的表面的至少部分具有规则的凹凸结构。
11.如权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述规则的凹凸结构的尺寸为1μm或更小。
12.如权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述多个导电图案的与具有所述规则的凹凸结构的表面的背对的背对表面不包括规则的凹凸结构。
13.如权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述多个导电图案的具有所述规则的凹凸结构的所述表面设置为比所述背对表面远离所述半导体芯片。
14.如权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述多个导电图案的具有所述规则的凹凸结构的所述表面和所述多个导电图案的侧表面嵌入在所述第一绝缘层中,并且
所述背对表面与所述连接结构的第二绝缘层接触。
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