[发明专利]半导体封装件

说明书

本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的至少一侧上，并且包括绝缘层和电连接到所述半导体芯片的重新分布层，其中，所述重新分布层包括多个导电图案，并且所述多个导电图案中的至少两个具有不同程度的表面粗糙度，并且具有较高的表面粗糙度的导电图案具有比具有较低的表面粗糙度的导电图案的宽度宽的宽度。

本申请要求于2018年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0146215号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种电连接结构可从设置有半导体芯片的区域向外延伸的扇出型半导体封装件。

背景技术

涉及半导体芯片的技术开发的重大的近期趋势已减小半导体芯片的尺寸。因此，在封装技术领域，根据对小尺寸半导体芯片等的需求的迅速增长，已需要实现在包括多个引脚的同时具有紧凑尺寸的半导体封装件。

为满足如上所述的技术需求而提出的半导体封装技术的类型之一是扇出型半导体封装件。这种扇出型封装件具有紧凑的尺寸，并且可通过将连接端子重新分布到设置有半导体芯片的区域的外部而允许实现多个引脚。

另外，通过观察半导体封装件的布线设计，除了作为用于信号传输目的的微电路的信号图案之外，还可确认为了散热、信号返回等目的而设置的接地图案。在接地区域的情况下，由于铜箔剩余率非常高，因此与绝缘层的粘合性降低，结果可能存在诸如层间分层的问题。

发明内容

本公开的一方面可提供一种增强了重新分布层和绝缘层之间的结合力并且可改善结构稳定性的半导体封装件。

根据本公开的一方面，一种半导体封装件可包括：半导体芯片；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的至少一侧上，并且包括第一绝缘层和电连接到所述半导体芯片的重新分布层。所述重新分布层可包括多个导电图案，并且所述多个导电图案中的至少两个可具有不同程度的表面粗糙度，并且具有较高的表面粗糙度的导电图案可具有比具有较低的表面粗糙度的导电图案的宽度宽的宽度。

所述多个导电图案可包括信号图案和接地图案，并且所述接地图案的表面粗糙度可大于所述信号图案的表面粗糙度。

在具有所述较高的表面粗糙度的所述导电图案的表面和具有所述较低的表面粗糙度的所述导电图案的表面中，仅具有所述较高的表面粗糙度的所述导电图案的表面具有不规则的凹凸结构。

所述不规则的凹凸结构可以是表面蚀刻的不规则结构。

所述导电图案的具有所述较高的表面粗糙度的表面可与所述第一绝缘层接触。

所述导电图案的与具有所述较高的表面粗糙度的所述表面背对的背对表面的表面粗糙度可低于所述导电图案的具有所述较高的表面粗糙度的所述表面的表面粗糙度。

所述导电图案的具有所述较高的表面粗糙度的所述表面可设置为比所述背对表面远离所述半导体芯片。

具有所述较高的表面粗糙度的所述导电图案可具有平板形状。

所述导电图案的具有所述较高的表面粗糙度的所述表面和具有所述较高的表面粗糙度的所述导电图案的侧表面可嵌入在所述第一绝缘层中，并且所述背对表面可与所述连接结构的第二绝缘层接触。

根据本公开的另一方面，一种半导体封装件可包括：半导体芯片；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的至少一侧上，并且包括第一绝缘层和电连接到所述半导体芯片的重新分布层。所述重新分布层可包括多个导电图案，并且所述多个导电图案的与所述第一绝缘层接触的表面的至少部分具有规则的凹凸结构。

所述规则的凹凸结构中的每个的尺寸可以为1μm或更小。