[发明专利]静电保护电路、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910645756.4 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110223979B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 童晓阳;周吉;胡诗犇 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王欢;刘芳 |
地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 保护 电路 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种静电保护电路,其特征在于,包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块,所述静电保护模块连接在所述静电释放模块与所述信号线之间;
所述静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管,且靠近所述信号线一侧的所述晶体管的栅极宽度小于远离所述信号线一侧的所述晶体管的栅极宽度;
当所述信号线中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时,所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管导通,以使所述信号线与所述静电释放模块导通,所述静电保护电路处于静电保护状态;
所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管串联;
所述静电释放模块包括第一静电释放线和第二静电释放线,且所述第一静电释放线中的信号电压高于所述第二静电释放线中的信号电压;
当所述静电保护模块连接在所述信号线和所述第一静电释放线,或所述信号线和所述第二静电释放线之间时,所述静电保护模块包括第一晶体管和第二晶体管;
所述第一晶体管的第一电极和栅极与所述信号线电连接,所述第一晶体管的第二电极与所述第二晶体管的第一电极和栅极连接,所述第二晶体管的第二电极与所述第一静电释放线或所述第二静电释放线电连接。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述第二晶体管的栅极宽度大于所述第一晶体管的栅极宽度。
3.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,当所述静电保护模块连接在所述信号线和所述第一静电释放线,以及所述信号线和所述第二静电释放线之间时,所述静电保护模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;
所述第一晶体管的第一电极和栅极与所述信号线电连接,所述第一晶体管的第二电极与所述第二晶体管的第一电极和栅极连接,所述第二晶体管的第二电极与所述第一静电释放线连接;
所述第三晶体管的第一电极和栅极与所述第二静电释放线连接,所述第三晶体管的第二电极与所述第四晶体管的第一电极和栅极连接,所述第四晶体管的第二电极与所述信号线连接;
所述第二晶体管的栅极宽度大于所述第一晶体管的栅极宽度,所述第三晶体管的栅极宽度大于所述第四晶体管的栅极宽度。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管的类型相同。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述信号线为栅极线、数据线、发光信号线、电源线、触控线或测试信号线中的任意一者或多者。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一静电释放线为高电平电源线VDD,所述第二静电释放线为低电平电源线VSS;
或,所述第一静电释放线为高电平信号线VGH,所述第二静电释放线为低电平信号线VGL。
7.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的静电保护电路。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求7所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的