[发明专利]静电保护电路、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910645756.4 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110223979B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 童晓阳;周吉;胡诗犇 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王欢;刘芳 |
地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 保护 电路 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提供一种静电保护电路、显示面板和显示装置,该静电保护电路包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块,静电保护模块连接在静电释放模块与信号线之间;静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管,且靠近信号线一侧的晶体管的栅极宽度小于远离信号线一侧的晶体管的栅极宽度。本发明的静电保护电路能够提高显示面板的静电保护能力,保证显示面板的正常驱动和显示过程,提高显示装置的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种静电保护电路、显示面板和显示装置。
背景技术
在目前的显示技术领域中,TFT-LCD(Thin Flim Transisitor-Liquid CrystalDisplay)薄膜晶体管液晶显示器和OLED(Organic Light Emitting Diode)有机发光二极管显示器具有不同的发光原理,是目前市场中较为主流的两种显示器。
上面两种显示器在制程中会产生高压静电,静电在显示器中积累容易造成静电击穿(Electro-Static Discharge,ESD)的现象,导致像素单元的驱动电路中信号传输受阻,影响像素单元的正常驱动及显示,降低显示器的显示效果。目前为避免显示器中形成静电积累,一般会在像素单元的驱动电路中设置ESD保护器件或者ESD保护电路,利用其对显示器中存在的静电进行释放或者消耗,避免静电电荷集中在驱动电路中,从而保证像素单元的正常驱动。
然而,目前ESD保护器件或者ESD保护电路常存在保护功能较弱,无法顺利或完全释放显示器中的静电,导致显示器的显示效果较差。
发明内容
为了解决背景技术中提到的至少一个问题,本发明提供一种静电保护电路、显示面板和显示装置,能够提高显示面板和静电保护电路的静电保护能力,保证显示面板的正常驱动和显示过程,提高显示装置的显示效果。
为了实现上述目的,第一方面,本发明提供一种静电保护电路,包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块,静电保护模块连接在静电释放模块与信号线之间。
静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管,且靠近信号线一侧的晶体管的栅极宽度小于远离信号线一侧的晶体管的栅极宽度。
当信号线中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时,静电保护模块中的至少两个晶体管导通,以使信号线与静电释放模块导通,静电保护电路处于静电保护状态。
本发明提供的静电保护电路,通过在静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块,利用静电保护模块对信号线进行静电保护,以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放,避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管,利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通,从而将信号线中积累的静电及时转移,利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流,避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力,提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性。
在上述的静电保护电路中,可选的是,静电保护模块中的至少两个晶体管串联。
通过将至少两个晶体管串联,利用栅极宽度较小的晶体管及时导通信号线与静电释放模块,利用栅极宽度较大的晶体管提高静电保护模块的防护力,从而维持静电保护电路工作的稳定性。
在上述的静电保护电路中,可选的是,静电释放模块包括第一静电释放线和第二静电释放线,第一静电释放线中的信号电压高于第二静电释放线中的信号电压。
这样的设置可以使得信号线中存在的不同电性的静电时,能够通过信号电压较高的第一静电释放线或信号电压较低的第二静电释放线完成静电释放。
在上述的静电保护电路中,可选的是,当静电保护模块连接在信号线和第一静电释放线,或信号线和第二静电释放线之间时,静电保护模块包括第一晶体管和第二晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的