[发明专利]电致发光显示器件及其制备方法有效
申请号: | 201910645857.1 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110660833B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 杜勇;王兵 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友 |
地址: | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种电致发光显示器件,其特征在于,包括层叠设置的底发射发光器件和顶发射发光器件,其中,
所述底发射发光器件包括底发射基板,所述底发射基板在面向所述顶发射发光器件的一侧具有多个第一发光像素区域和多个第一空白像素区域,所述第一发光像素区域包括第一发光二极管,
所述顶发射发光器件包括顶发射基板,所述顶发射基板在面向所述底发射发光器件的一侧具有多个第二发光像素区域和多个第二空白像素区域,所述第二发光像素区域包括第二发光二极管,所述第二发光像素区域与所述第一空白像素区域对应,所述第二空白像素区域与所述第一发光像素区域对应。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器件,其特征在于,所述第一发光二极管为量子点发光二极管,所述第二发光二极管为有机发光二极管;
或者所述第一发光二极管为有机发光二极管,所述第二发光二极管为量子点发光二极管。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示器件,其特征在于,多个所述量子点发光二极管包括用于发射红光的发光二极管和用于发射绿光的发光二极管,所述有机发光二极管发射蓝光。
4.根据权利要求2所述的电致发光显示器件,其特征在于,所述量子点发光二极管包括量子点发光层,所述有机发光二极管包括有机发光层。
5.根据权利要求1-4任一所述的电致发光显示器件,其特征在于,一个所述第一空白像素区域与一个或多个所述第二发光像素区域相对设置,一个所述第二空白像素区域与一个或多个所述第一发光像素区域相对设置。
6.根据权利要求1-4任一所述的电致发光显示器件,其特征在于,所述第二发光像素区域在所述底发射基板上的正投影与所述第一发光像素区域不重叠。
7.根据权利要求1-4任一所述的电致发光显示器件,其特征在于,所述第一空白像素区域内设置或者未设置有透明电极材料,或者所述第二空白像素区域内设置或者未设置有反射电极材料。
8.一种电致发光显示器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供表面具有多个第一像素坑和多个第二像素坑的底发射基板,于各所述第一像素坑内制备第一发光二极管,得到底发射发光器件;
提供表面具有多个第三像素坑和多个第四像素坑的顶发射基板,于各所述第三像素坑内制备第二发光二极管,得到顶发射发光器件;
对齐所述底发射发光器件与所述顶发射发光器件,以使得所述第三像素坑内的所述第二发光二极管与所述第二像素坑的开口相对,然后对所述底发射发光器件与所述顶发射发光器件进行密封。
9.根据权利要求8所述的电致发光显示器件的制备方法,其特征在于,于所述第一像素坑内至少一次采用湿法工艺制备所述第一发光二极管,于所述第三像素坑内仅采用蒸镀工艺制备所述第二发光二极管;
或者,于所述第一像素坑内仅采用蒸镀工艺制备所述第一发光二极管,于所述第三像素坑内至少一次采用湿法工艺制备所述第二发光二极管。
10.根据权利要求8所述的电致发光显示器件的制备方法,其特征在于,采用量子点发光材料制备所述第一发光二极管的发光层,采用有机小分子发光材料制备所述第二发光二极管的发光层;
或者,采用有机小分子发光材料制备所述第一发光二极管的发光层,采用量子点发光材料制备所述第二发光二极管的发光层。
11.根据权利要求8所述的 电致发光显示器件的制备方法,其特征在于,密封所述底发射发光器件与所述顶发射发光器件之前,在所述底发射发光器件或所述顶发射发光器件的边框位置设置封装材料,所述底发射发光器件与所述顶发射发光器件对齐后,利用所述封装材料将所述底发射发光器件与所述顶发射发光器件进行密封。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳晶科技股份有限公司,未经纳晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910645857.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的