[发明专利]一种双向ESD二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910646936.4 申请日: 2019-07-17
公开(公告)号: CN110379806A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 李大强;杨秀斌;胡忠 申请(专利权)人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L25/07;H01L21/52
代理公司: 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 龙超峰
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 整流芯片 叠加 二极管 反向击穿电压 阴极 阳极 导线连接 制作 双向保护功能 电子器件 方向相反 正向压降 低电容 封装 芯片
【说明书】:

发明公开了一种双向ESD二极管及其制作方法,属于电子器件技术领域,其中:包括若干整流芯片A和若干整流芯片B,相邻整流芯片A阴阳极间相互叠加固定连接,相邻整流芯片B阴阳极间相互叠加固定连接且与整流芯片A叠加方向相反,最后一个整流芯片A阴极与最后一个整流芯片B阳极经导线连接,第一个整流芯片A阳极与第一个整流芯片B阴极经导线连接;其制作方法包括:连接、固定、封装;多个相邻的整流芯片A芯片相互叠加,同时与整流芯片A相互叠加反向的多个整流芯片B芯片相互叠加,根据反向击穿电压的需要,利用整流芯片本身的正向压降,制作成具备双向保护功能的ESD二极管,获得低反向击穿电压、低电容且结构紧凑的二极管。

技术领域

本发明属于电子器件技术领域,涉及一种双向ESD二极管及其制作方法。

背景技术

电子器件被广泛应用于电力设备中,随着未来人工智能和物联网不断的快速发展,电子元器件将会被更多的使用;在高频信号电路中路常常需要使用到反向击穿电压为6V以下且结电容在几个皮法的二极管,目前为获得此类二极管芯片的制作方式为:采用常规的TVS二极管与一个低结电容二极管串联的方式制作获得,但此结构很难具备反向击穿6V以下的低结电容特性。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供了一种双向ESD二极管。

同时,本发明还提供了一种双向ESD二极管的制作方法。

本发明通过以下技术方案得以实现。

本发明提供的一种双向ESD二极管,其中:包括若干整流芯片A和若干整流芯片B,相邻整流芯片A阴阳极间相互叠加固定连接,相邻整流芯片B阴阳极间相互叠加固定连接且与整流芯片A叠加方向相反,最后一个整流芯片A阴极与最后一个整流芯片B阳极经导线连接,第一个整流芯片A阳极与第一个整流芯片B阴极经导线连接。

还包括电极片A、电极片B、极板A、极板B,电极片A和电极片B一端安装于极板A上,电极片A、电极片B另一端经导线分别连接最后一个整流芯片A阴极和最后一个整流芯片B阳极,第一个整流芯片A阳极和第一个整流芯片B阴极均固定连接在极板B上。

所述极板A下部固定连接有引脚B,所述极板B下部固定连接有引脚A。

还包括底座和盖板,引脚A和引脚B分别间隔嵌合在中空底座的底部通孔内,底座开口边嵌合固定安装有盖板。

所述底座和盖板均采用金属陶瓷制成。

所述若干叠加的整流芯片A、若干叠加的整流芯片B、电极片A、电极片B彼此间隙间设有绝缘层。

所述若干整流芯片A和若干整流芯片B两排间反向平行并垂直固定安装于极板B上。

一种双向ESD二极管的制作方法,具体如下:

步骤一、连接:相邻的整流芯片A阴阳间极相互叠加固定连接;相邻整流芯片B阴阳间极相互叠加固定连接,并与整流芯片A的叠加反向放置;

步骤二、固定:使用导线将第一个整流芯片A阳极与第一个整流芯片B阴极固定安装在极板B上部,极板B下部固定安装引脚A;最后一个整流芯片A阴极与最后一个整流芯片B阳极经导线分别连接在电极片A、电极片B上,极板A上部电极片A、电极片B底部,极板A下部分别安装引脚B;

步骤三、封装:底座底部的通孔内分别间隔嵌合引脚A和引脚B,底座开口嵌合固定安装盖板,整流芯片A、整流芯片B、电极片A、电极片B彼此间的隙间填充绝缘层。

本发明的有益效果在于:多个相邻的整流芯片A芯片相互叠加,同时与整流芯片A相互叠加反向的多个整流芯片B芯片相互叠加,根据反向击穿电压的需要,利用整流芯片本身的正向压降,制作成具备双向保护功能的低结电容且结构紧凑的ESD二极管。

附图说明

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