[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的阱区和漂移区；

位于所述阱区中的源极区；

位于所述漂移区中的漏极区；以及

位于所述漂移区中并位于所述源极区与所述漏极区之间的掺杂层，

其中，所述阱区、所述掺杂层具有第一导电类型，所述漂移区、所述源极区、所述漏极区具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨所述阱区和所述漂移区，所述源极区和所述漏极区分别位于所述栅极结构两侧；以及

硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层覆盖所述漏极区的部分区域、所述掺杂层、所述漂移区的部分区域以及所述栅极结构的部分区域。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

介电层，所述介电层覆盖所述栅极结构的部分区域、所述硅化物阻挡层的部分区域以及所述漏极区的部分区域，所述介电层包括开口，所述开口暴露所述硅化物阻挡层的位于所述栅极结构与所述漏极区之间的部分区域，

其中，所述掺杂层位于所述开口的靠近所述漏极区的一侧。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述掺杂层的掺杂浓度小于所述漂移区的掺杂浓度。

6.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成阱区和漂移区；

在所述漂移区中形成第一掺杂层和第二掺杂层；

在所述漂移区中的所述第二掺杂层处形成漏极区以取代所述第二掺杂层；以及

在所述阱区中形成源极区，

其中，所述第一掺杂层位于所述源极区与所述漏极区之间，

其中，所述阱区、所述第一掺杂层、所述第二掺杂层具有第一导电类型，所述漂移区、所述源极区、所述漏极区具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同。

7.根据权利要求6所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述半导体衬底上形成栅极结构，其中，所述栅极结构横跨所述阱区和所述漂移区，所述源极区和所述漏极区分别位于所述栅极结构两侧；以及

在所述漏极区的部分区域、所述第一掺杂层、所述漂移区的部分区域以及所述栅极结构的部分区域上形成硅化物阻挡层。

8.根据权利要求7所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极结构的部分区域、所述硅化物阻挡层的部分区域以及所述漏极区的部分区域上形成介电层，所述介电层包括接触孔，所述接触孔暴露所述硅化物阻挡层的位于所述栅极结构与所述漏极区之间的部分区域，

其中，所述第一掺杂层位于所述接触孔的靠近所述漏极区的一侧。

9.根据权利要求6所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述漂移区中形成第一掺杂层和第二掺杂层的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶具有开口，所述开口暴露所述漂移区的部分区域；

通过离子植入的方式在所述开口的靠近所述源极区的一侧形成所述第一掺杂层；以及

通过离子植入的方式在所述开口的靠近所述漏极区的一侧形成所述第二掺杂层。

10.根据权利要求10所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均通过倾斜角度离子注入的方式形成于所述漂移区中。

11.根据权利要求6所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

12.根据权利要求6所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂浓度小于所述漂移区的掺杂浓度。