[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

说明书

本公开提供了一种LDMOS器件。LDMOS器件包括：半导体衬底、位于半导体衬底中的阱区和漂移区、位于阱区中的源极区；位于漂移区中的漏极区、以及位于漂移区中并位于源极区与漏极区之间的掺杂层。阱区、掺杂层具有第一导电类型，漂移区、源极区、漏极区具有第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型不同。本公开还提供了一种LDMOS器件的形成方法。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种横向扩散金属氧化物半导体(Lateral Diffusion Metal Oxide Semiconductor，LDMOS)器件以及形成方法。

背景技术

LDMOS器件由于在增益、线性度以及散热性能等关键的器件特性方面具有 明显的优势，同时还能与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容，因此得到 了广泛应用。驱动电流(Ion)和击穿电压(Breakdown Voltage，BV)是衡量LDMOS 器件性能的两个重要参数。其中，驱动电流是指在器件工作时，从漏到源的电 流；而击穿电压是指器件被击穿前，其指定端的最高瞬间的极限电压值。较大 的击穿电压和较大的驱动电流使得LDMOS晶体管具有较好的开关特性以及更 强的驱动能力，但是现有的LDMOS晶体管难以同时满足上述两个条件，需要在 源漏之间的击穿电压(BVds)和源漏之间的导通电阻(Rdson)之间进行权衡。

因此，现有技术中存在的问题是如何在保持源漏之间的导通电阻的情况下 尽可能最大化源漏之间的击穿电压，从而改善热载流子注入(Hot Carriers Injection，HCI)效应或时间相关电介质击穿(Time Dependent Dielectric Breakdown，TDDB)性能。

发明内容

在下文中给出了关于本公开的简要概述，以便提供关于本公开的某些方面 的基本理解。应当理解，该部分并不意图确定本公开的关键或重要部分，也不 是意图限定本公开的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作 为稍后论述的更详细描述的前序。

本公开针对现有技术中的至少一个问题并试图改善LDMOS器件的电学性 能。

本公开的一个方面提供了一种LDMOS器件，该LDMOS器件包括：半导体 衬底；位于半导体衬底中的阱区和漂移区；位于所述漂移区中的漏极区；位于 所述阱区中的源极区；以及位于所述漂移区中并位于所述源极区与所述漏极区 之间的掺杂层，其中，所述阱区、所述掺杂层具有第一导电类型，所述漂移区、 所述源极区、所述漏极区具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导 电类型不同。

根据本公开的一些实施例，LDMOS器件还可包括：位于所述半导体衬底上 的栅极结构，所述栅极结构横跨所述阱区和所述漂移区，所述源极区和所述漏 极区分别位于所述栅极结构两侧；以及硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层覆盖 所述漏极区的部分区域、所述掺杂层、所述漂移区的部分区域以及所述栅极结 构的部分区域。

根据本公开的一些实施例，LDMOS器件还可包括：介电层，所述介电层覆 盖所述栅极结构的部分区域、所述硅化物阻挡层的部分区域以及所述漏极区的 部分区域，所述介电层包括开口，所述开口暴露所述硅化物阻挡层的位于所述 栅极结构与所述漏极区之间的部分区域，其中，所述掺杂层位于所述开口的靠 近所述漏极区的一侧。

根据本公开的一些实施例，所述第一导电类型可为N型，所述第二导电类型 可为P型。

根据本公开的一些实施例，所述掺杂层的掺杂浓度可小于所述漂移区的掺 杂浓度。