[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，用于避免漏电流，其特征在于，包括：

栅极结构，位于基底上；

源极和漏极，位于所述栅极结构两侧的所述基底中；

介电层，位于所述基底和所述栅极结构上；

两个接触开口，位于所述介电层之中，以分别暴露所述源极和所述漏极；

两个接触沟渠，分别位于所述源极和漏极之中并位于所述两个接触开口之下；

两个接触窗间隙壁，分别覆盖所述接触沟渠的侧壁，以避免栅极引起的漏电流；

两个金属硅化物层，分别设置在所述接触沟渠的底面下；以及

两个接触插塞，分别填充于所述接触沟渠和所述接触开口之中。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接触窗间隙壁还覆盖所述接触开口的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接触窗间隙壁的材料包括氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述金属硅化物层的材料包括TiSi₂、NiSi₂或CoSi₂。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述栅极结构包括：

栅极介电层，位于所述基底上；

栅极层，位于所述栅极介电层上；以及

栅极罩幕层，位于所述栅极层上。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括位于所述栅极结构的侧壁上的栅极间隙壁。

7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

形成栅极结构在基底上；

形成源极和漏极在所述栅极结构两侧的所述基底中；

形成介电层在所述基底和所述栅极结构上；

形成两个接触开口在所述介电层中，以分别暴露所述源极和所述漏极；

形成两个接触沟渠分别在所述源极和漏极之中并位于所述两个接触开口之下；

形成两个接触窗间隙壁分别覆盖所述两个接触沟渠的侧壁，以避免栅极引起的漏电流；

形成两个金属硅化物层在所述接触沟渠的底面上；以及

形成两个接触插塞以填满所述两个接触沟渠和所述两个接触开口。

8.根据权利要求7所述半导体结构的形成方法，其中所述接触窗间隙壁的形成方法包括：

以热氧化法或热氮化法分别在所述两个接触沟渠的表面上形成接触介电层；以及

非等向性地蚀刻所述接触介电层，以在所述接触沟渠的所述侧壁上形成所述接触窗间隙壁并暴露所述基底。

9.根据权利要求7所述半导体结构的形成方法，其中所述接触窗间隙壁的形成方法包括：

形成接触介电层，以共形地覆盖所述介电层、所述接触开口和所述接触沟渠的暴露表面；以及

非等向性地蚀刻所述接触介电层以在所述接触开口和所述接触沟渠的所述侧壁上形成所述接触窗间隙壁并暴露所述基底。

10.根据权利要求9所述半导体结构的形成方法，其中所述接触介电层的形成方法包括化学气相沉积法。

11.根据权利要求9所述半导体结构的形成方法，其中所述接触介电层是氧化硅层或氮化硅层。

12.根据权利要求7所述半导体结构的形成方法，在形成所述介电层和形成所述接触开口的步骤之间，还包括形成硬罩幕层在所述介电层之上，其中所述硬罩幕层用作蚀刻罩幕。

13.根据权利要求12所述半导体结构的形成方法，在形成所述两个接触窗间隙壁和形成所述金属硅化物层的步骤之间，还包括移除所述硬罩幕层。