[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；

位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，所述第一低k绝缘膜包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；

位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，所述布线结构包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及

位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，所述第一保护绝缘膜包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘材料的介电常数大于所述第一绝缘材料的介电常数。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘材料包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底还包括第二芯片区域，所述第二芯片区域通过所述划片道区域与所述第一芯片区域间隔开，并且

所述半导体器件还包括：

位于所述第二芯片区域中的所述衬底上的第三低k绝缘膜，所述第三低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及

位于所述第三低k绝缘膜与所述布线结构之间的第二保护绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二保护绝缘膜包括所述第二绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于所述衬底与所述第一保护绝缘膜之间的第一层间绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

位于所述第一保护绝缘膜上的第二层间绝缘膜，其中，所述第一保护绝缘膜从所述第二层间绝缘膜连续延伸到所述第一层间绝缘膜。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述布线结构包括彼此电分离的第一项目图案和第二项目图案。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

位于所述第一项目图案与所述第二项目图案之间的第三保护绝缘膜，所述第三保护绝缘膜包括所述第二绝缘材料。

10.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底包括第一芯片区域、第二芯片区域和位于所述第一芯片区域与所述第二芯片区域之间的划片道区域；

位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，所述第一低k绝缘膜包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；

位于所述第二芯片区域中的所述衬底上的第二低k绝缘膜，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；

位于所述划片道区域中的所述衬底上的第三低k绝缘膜，所述第三低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；

位于所述第一低k绝缘膜与所述第三低k绝缘膜之间的第一保护绝缘膜，所述第一保护绝缘膜包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料；以及

位于所述第二低k绝缘膜与所述第三低k绝缘膜之间的第二保护绝缘膜，所述第二保护绝缘膜包括所述第二绝缘材料。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一集成电路元件；以及

位于所述第一低k绝缘膜中的第一布线图案，其电连接到所述第一集成电路元件。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

位于所述第三低k绝缘膜中的第三布线图案。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一低k绝缘膜、所述第二低k绝缘膜和所述第三低k绝缘膜相对于所述衬底处于同一水平。