[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，通过减少或防止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展而改善了可靠性和产量。所述半导体器件包括：衬底，其包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，其包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，其包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，其包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年10月19日提交的韩国专利申请No.10-2018-0124978的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用合并于本申请中。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，本发明构思涉及在划片道区域中包括保护绝缘膜的半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体芯片可以通过用于切割其上形成有集成电路元件的半导体晶片的小片锯切工艺来形成。在小片锯切工艺期间，锯切刀片可以沿着划片道区域切割半导体晶片，因此，可以物理地分离多个半导体芯片。

随着要求集成电路元件具有更大的容量和更高的集成度，半导体晶片中划片道区域所占据的面积可能会减小。因此，例如，由于在小片锯切工艺期间施加到半导体芯片的应力，可能会增加损坏集成电路元件的风险。

发明内容

本发明构思的各方面提供了半导体器件，其中，可以通过减少或阻止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展，改善可靠性和/或生产率/产量。

本发明构思的各方面还提供了制造半导体器件的方法，其中，可以通过减少或阻止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展，改善半导体器件的可靠性和/或生产率/产量。

本发明构思所解决的技术问题不限于上述技术问题，本领域技术人员可以从下面的描述中清楚地理解本发明构思可以解决但没有具体提及的其它技术问题。

根据本发明构思的各方面，提供了一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，所述第一低k绝缘膜包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，所述布线结构包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，所述第一保护绝缘膜包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。

根据本发明构思的各方面，提供了一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底包括第一芯片区域、第二芯片区域和位于所述第一芯片区域与所述第二芯片区域之间的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，所述第一低k绝缘膜包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述第二芯片区域中的所述衬底上的第二低k绝缘膜，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的第三低k绝缘膜，所述第三低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；位于所述第一低k绝缘膜与所述第三低k绝缘膜之间的第一保护绝缘膜，所述第一保护绝缘膜包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料；以及位于所述第二低k绝缘膜与所述第三低k绝缘膜之间的第二保护绝缘膜，所述第二保护绝缘膜包括所述第二绝缘材料。