[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，从下至上依次层叠设置的玻璃基板、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层，其中所述有源层包括源极掺杂区、漏极掺杂区，所述源漏极层包括与所述源极掺杂区电连接的源电极和与所述漏极掺杂区电连接的漏电极，所述阵列基板定义有至少一第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的有源层还包括第一轻掺杂漏极和第二轻掺杂漏极，所述第二薄膜晶体管的有源层还包括第三轻掺杂漏极和第四轻掺杂漏极，所述第一轻掺杂漏极的长度小于所述第三轻掺杂漏极的长度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一轻掺杂漏极和第二轻掺杂漏极的长度相等；所述第三轻掺杂漏极和第四轻掺杂漏极的长度相等。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第一薄膜晶体管的栅极层的倾斜角度大于位于所述第二薄膜晶体管的栅极层的倾斜角度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第一薄膜晶体管的第二栅极绝缘层两端设有与所述第一轻掺杂漏极和第二轻掺杂漏极相应设置的第一裸露端和第二裸露端，位于所述第二薄膜晶体管的第二栅极绝缘层两端设有与所述第三轻掺杂漏极和第四轻掺杂漏极相应设置的第三裸露端和第四裸露端；所述第一裸露端和第二裸露端的长度相等；所述第三裸露端和第四裸露端的长度相等。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一裸露端的长度小于所述第三裸露端的长度。

6.一种权利要求1-5中任一项所述的阵列基板的制造方法，包括步骤：

S1、制造玻璃基板至栅极光阻层步骤，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次形成缓冲层、多晶硅层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、栅极层和栅极光阻层，定义有至少一第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述栅极光阻层包括与所述第一薄膜晶体管相对设置的第一栅极光阻层和与所述第二薄膜晶体管相对设置的第二栅极光阻层，其中所述第一栅极光阻层的倾斜角度大于所述第二栅极光阻层的倾斜角度；

S2、干刻蚀步骤，栅极光阻层图案完成后进行干蚀刻工艺，通入栅极蚀刻气体和氧气形成离子电浆，根据所述第一栅极光阻层和第二栅极光阻层的倾斜角度通过调节氧气的比例刻蚀栅极层和第二栅极绝缘层，其中所述第一薄膜晶体管的第二栅极绝缘层两侧为长度相等的第一裸露端和第二裸露端；所述第二薄膜晶体管的第二栅极绝缘层两侧为长度相等的第三裸露端和第四裸露端；所述第一裸露端的长度小于所述第三裸露端的长度；

S3、掺杂形成有源层步骤，干蚀刻完成后移除栅极光阻层,使用离子植入设备进行N+离子植入工艺进行掺杂形成有源层，所述有源层包括源极掺杂区、漏极掺杂区、第一轻掺杂漏极、第二轻掺杂漏极、第三轻掺杂漏极和第四轻掺杂漏极，其中所述源极掺杂区、漏极掺杂区的长度分别对应所述第二栅极绝缘层两侧裸露长度，所述第一轻掺杂漏极和第二轻掺杂漏极的长度相等，所述第二薄膜晶体管的有源层还包括长度相等的第三轻掺杂漏极和第四轻掺杂漏极的长度相等，所述第一轻掺杂漏极的长度小于所述第三轻掺杂漏极的长度；

S4、制造层间绝缘层和源漏极层步骤，在所述栅极层上制作层间绝缘层；在所述层间绝缘层上制造源漏极层，所述源漏极层包括与所述源极掺杂区电连接的源电极和与所述漏极掺杂区电连接的漏电极。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述第一薄膜晶体管的所述第二栅极绝缘层两侧的第一裸露端和第二裸露端的长度与所述第一栅极光阻层的倾斜角度呈反比；所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极绝缘层两侧的第三裸露端和第四裸露端的长度与所述第二栅极光阻层的倾斜角度呈反比。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述第一薄膜晶体管的所述栅极层的倾斜角度与所述第一栅极光阻层的倾斜角度呈正比；所述第二薄膜晶体管的所述栅极层的倾斜角度与所述第二栅极光阻层的倾斜角度呈正比。