[发明专利]一种用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910650900.3 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN111584665A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨露;刘大伟;倪玉凤;张天杰;宋志成 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/056 | 分类号： | H01L31/056;H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 710099 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 薄片 双面 电池 背面 氮化 硅叠层膜 制备 方法 | ||
1.一种适用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法，其特征在于，在电池背面沉积SiNx薄膜步骤中沉积至少2层SiNx薄膜；所述电池背面沉积的SiNx薄膜是由不同折射率、不同厚度的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构；所述SiNx薄膜的厚度为10-100nm，折射率为1.5-2.2，沉积时间为100-600s。
2.根据权利要求1所述的一种适用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法，其特征在于，所述电池背面的SiNx薄膜是由两层SiNx薄膜周期性排列形成，第一层SiNx薄膜的折射率n1为1.5-1.8，第二层SiNx薄膜的折射率n2为1.9-2.2。
3.根据权利要求2所述的一种适用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法，其特征在于，制备所述第一层SiNx薄膜的SiH4流量为400-500sccm，NH3流量为3000-4000sccm；制备所述第二层SiNx薄膜的SiH4流量为600-800sccm，NH3流量为2000-4000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
