[发明专利]共聚物和相关层状制品,以及器件形成方法在审
申请号: | 201910653956.4 | 申请日: | 2016-08-04 |
公开(公告)号: | CN110204666A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | J·W·萨克莱;K·杜;P·特雷福纳斯三世;I·布莱基;A·K·惠特克 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;昆士兰大学 |
主分类号: | C08F283/06 | 分类号: | C08F283/06;C08F220/14;C08F220/22;G03F7/20;C09D151/08 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张佳鑫;胡嘉倩 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层状制品 共聚物 面涂层 电子束 平版印刷术 制备共聚物 紫外光吸收 单体聚合 电子器件 碱溶解度 器件形成 远紫外 增强型 | ||
通过使包括紫外光吸收型单体以及碱溶解度增强型单体的单体聚合来制备共聚物。所述共聚物适用于形成电子束以及远紫外平版印刷术用的面涂层。还描述包括所述面涂层的层状制品以及形成电子器件的相关方法。
技术领域
本发明涉及共聚物、含有所述共聚物的照相平版印刷面涂层、包含所述面涂层的层状制品,以及形成电子器件的方法,其中所述方法利用所述面涂层。
背景技术
远紫外(Extreme ultraviolet;EUV)平版印刷术和电子束平版印刷术在20纳米和以下的等级下是有前景的图案化技术。EUV辐射源还产生较长波长的辐射,所谓的频带外(out-of-band;OOB)辐射,其能使成像性能显著恶化。因此需要能减少频带外辐射的负面影响而不会过度降低其它照相平版印刷响应的组合物。共同提交的美国专利申请第14/820647号描述一种光阻组合物,其包含自分层的OOB辐射吸收型嵌段聚合物。就希望避免或最小化修饰光阻组合物的情形来说,本申请描述一种适用于OOB辐射吸收型、显影剂可溶性面涂层中的共聚物。
发明内容
一个实施例是一种共聚物,其中所述共聚物包含单体聚合产物,所述单体包括:频带外吸收单体;和碱溶解度增强型单体;其中由所述共聚物铸成的膜在150纳米到400纳米范围内的波长下具有0.1到0.5的消光系数k。
另一个实施例是形成聚合物层的方法,所述方法包含对聚合物溶液进行旋涂,所述聚合物溶液包含存在于溶剂中的0.1重量%到3重量%共聚物,所述溶剂选自由以下各者组成的群组:2-甲基-2-丁醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-2-丁醇与2-甲基-2-戊醇的组合、二丙二醇单甲基醚与2-甲基-2-丁醇的组合(含有至少90重量%的2-甲基-2-丁醇)、二丙二醇单甲基醚与2-甲基-2-戊醇的组合(含有至少90重量%的2-甲基-2-戊醇),以及二丙二醇单甲基醚与2-甲基-2-丁醇与2-甲基-2-戊醇的组合(总计含有至少90重量%的2-甲基-2-丁醇以及2-甲基-2-戊醇)。
另一个实施例是一种层状制品,其包含∶基板;位于所述基板上的光阻层;以及包含所述共聚物、位于所述光阻层上并且和所述光阻层接触的面涂层。
另一个实施例是一种形成电子器件的方法,所述方法包含∶(a)在基板上涂覆光阻层;(b)在所述光阻层上涂覆包含共聚物的面涂层;(c)使光阻层直到面涂层逐图案曝露于活化辐射;以及(d)使所曝露的光阻层显影以提供抗蚀剂浮雕影像。
下文详细描述这些和其它实施例。
附图说明
图1是合成聚(PEGMA-共-BzMA-共-HFACHOH)的反应流程。
图2是脱除聚(PEGMA-共-BzMA-共-HFACHOH)中的RAFT端基的反应流程。
图3提供聚(PEGMA-共-BzMA-共-HFACHOH)在RAFT端基裂解(脱除)之前和之后的标准化紫外光-可见光光谱。
图4是面涂层聚合物聚(PEGMA-共-BzMA-共-HFACHOH)的1H NMR光谱。
图5A和图5B呈现:图5A CBP-4光阻层;以及图5B面涂层中的膜厚度(nm)相对于聚合物浓度(重量%(wt%))的图。
图6是10纳米面涂层、30纳米面涂层、CBP-4+10nm面涂层、CBP-4+30nm面涂层以及CBP-4的接触角(°)与显影时间(1秒或60秒)关系的图。
图7是具有10纳米以及30纳米厚度的面涂层的消光系数相对于波长(nm)的图。
图8是具有10纳米以及30纳米厚度的面涂层的透射率(%)相对于波长(nm)的图。
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