[发明专利]半导体存储器的测试方法

权利要求书

1.一种半导体存储器的测试方法，其是判定具有每一个由多个存储器单元构成的多个存储器块的半导体存储器的好坏的测试方法，其特征在于，具有：

第1步骤，测定所述多个存储器块的所述多个存储器单元的每一个的电气特性；

第2步骤，将所述多个存储器单元之中的、所述电气特性的测定值不满足基准值的存储器单元检测为缺陷单元；

第3步骤，将所述多个存储器块之中的、包括规定数以上所述缺陷单元的存储器块判定为缺陷块；

第4步骤，判定所述缺陷块的数量是否为第1阈值以上；

第5步骤，在判定为所述缺陷块的数量为第1阈值以上的情况下，将所述半导体存储器判定为次品；

第6步骤，在判定为所述缺陷块的数量为第1阈值不足的情况下，将所述缺陷块的数量与比所述第1阈值小的第2阈值进行比较；

第7步骤，在判定为所述缺陷存储器块的数量为所述第2阈值不足的情况下，针对所述多个存储器单元的每一个，变更所述电气特性的测定中的测定条件，重复执行由所述第1步骤、所述第2步骤、所述第3步骤和所述第6步骤构成的一连串的步骤，直到判定为所述缺陷块的数量为所述第2阈值以上并且为所述第1阈值不足；以及

第8步骤，在所述第6步骤或所述第7步骤中判定为所述缺陷块的数量为所述第2阈值以上并且为所述第1阈值不足的情况下，通过与向所述缺陷块以外的块的访问不同的方法来管理向所述缺陷块的访问。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器的测试方法，其特征在于，所述电气特性的测定包括从所述多个存储器单元的数据的读出时的读出电压的测定，

所述测定条件的变更包括针对所述多个存储器单元的刷新的时间间隔的变更。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储器的测试方法，其特征在于，所述测定条件的变更包括所述电气特性的测定时的所述多个存储器单元的温度的变更。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储器的测试方法，其特征在于，所述多个存储器单元的每一个由晶体管构成，

所述测定条件的变更包括施加于所述晶体管的栅极的电压的变更。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储器的测试方法，其特征在于，所述多个存储器单元的每一个由晶体管构成，

所述测定条件的变更包括所述晶体管的栅极的阈值电压的变更。

6.一种半导体存储器的测试方法，其是判定具有每一个由多个存储器单元构成的多个存储器块的半导体存储器的好坏的测试方法，其特征在于，具有：

第1步骤，测定所述多个存储器块的所述多个存储器单元的每一个的电气特性；

第2步骤，将所述多个存储器单元之中的、所述电气特性的测定值不满足基准值的存储器单元检测为缺陷单元；

第3步骤，将所述多个存储器块之中的、包括规定数以上所述缺陷单元的存储器块判定为缺陷块；

第4步骤，判定所述缺陷块的数量是否为第1阈值以上；

第5步骤，在判定为所述缺陷块的数量为第1阈值以上的情况下，将所述半导体存储器判定为次品；

第6步骤，在判定为所述缺陷块的数量为第1阈值不足的情况下，将所述缺陷块的数量与比所述第1阈值小的第2阈值进行比较；

第7步骤，在判定为所述缺陷存储器块的数量为所述第2阈值不足的情况下，使所述半导体存储器的电源从OFF状态变化为ON状态，基于在所述多个存储器单元的每一个中积累的电荷的变化，新选择缺陷块以使得所述缺陷块的数量达到所述第2阈值；以及

第8步骤，在所述第6步骤或所述第7步骤的结果是判定为所述缺陷块的数量为所述第2阈值以上并且为所述第1阈值不足的情况下，通过与向所述缺陷块以外的块的访问不同的方法来管理向所述缺陷块的访问。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体存储器的测试方法，其特征在于，所述第8步骤中的、针对向所述缺陷块的访问的通过所述不同的方法的管理包括将针对所述缺陷块的地址的访问置换为针对与所述多个存储器块不同的其他的存储器块的地址的访问的处理。