[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：

基板；

遮光层，形成于所述基板上；

缓冲层，形成于所述遮光层上；

有源层，形成于所述缓冲层上；以及

栅极绝缘层，形成于所述有源层上，所述栅极绝缘层具有层叠结构，所述层叠结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层的厚度不小于所述第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包括：

栅极层，形成于所述栅极绝缘层上；

导体层，包括第一导体层和第二导体层，分别形成于所述有源层的两端；

层间绝缘层，形成于所述栅极层上；

过孔，形成于所述层间绝缘层和所述缓冲层内；

源漏极金属层，形成于所述过孔内；以及

钝化层，形成于所述源漏极金属层上。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

所述过孔包括第一过孔、第二过孔和第三过孔；

所述第一过孔贯穿所述层间绝缘层连接至所述第一导体层；

所述第二过孔贯穿所述层间绝缘层连接至所述第二导体层；以及

所述第三过孔依次贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层连接至所述遮光层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

所述源漏极金属层包括源极金属层和漏极金属层；

所述源极金属层形成于所述第二过孔和所述第三过孔内；以及

所述漏极金属层形成于所述第一过孔内。

5.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一基板，在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层和有源层；

S2、在所述有源层上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层具有层叠结构，所述层叠结构包括所述第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层的厚度不小于所述第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层上；

S3、在所述栅极绝缘层上依次形成金属层和光阻层；

S4、以所述光阻层为遮挡对所述金属层进行蚀刻，得到栅极层，并去除所述金属层中未被所述光阻层遮挡的部分；

S5、以所述栅极层为自对准对所述栅极绝缘层进行蚀刻，同时进行导体化处理，没有被所述栅极绝缘层遮挡的所述有源层形成导体层；

S6、待所述栅极绝缘层蚀刻和所述导体化处理完成后，剥离所述光阻层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：

S7、在所述栅极层上形成层间绝缘层；

S8、对所述层间绝缘层和所述缓冲层开洞以形成过孔；

S9、在所述过孔内形成源漏极金属层；

S10、在所述源漏极金属层上形成钝化层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，

所述过孔通过黄光工艺形成；

所述过孔包括第一过孔、第二过孔和第三过孔；

所述第一过孔贯穿所述层间绝缘层连接至所述第一导体层；

所述第二过孔贯穿所述层间绝缘层连接至所述第二导体层；以及

所述第三过孔依次贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层连接至所述遮光层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，

所述源漏极金属层包括源极金属层和漏极金属层；

所述源极金属层形成于所述第二过孔和所述第三过孔内；以及

所述漏极金属层形成于所述第一过孔内。