[发明专利]内埋元件封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910654788.0 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN111863757A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 廖玉茹;陈建泛;王建皓 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种内埋元件封装结构，包括：
一介电结构；以及
一元件，内埋于该介电结构中并设有多个导电柱，该多个导电柱自该介电结构的一上表面露出且分别具有一第一厚度及一第二厚度，该第一厚度不等于该第二厚度。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该元件具有一翘曲量介于10至25微米之间。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该元件设有一重布线层以及一绝缘层，该重布线层设置于该绝缘层上，且该重布线层具有多个电性接垫，该多个导电柱设置于该多个电性接垫上。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第一厚度与该第二厚度相差至少10微米。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第一厚度及该第二厚度至少大于3微米。
6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该多个导电柱的上表面切齐该介电结构的该上表面，且该多个导电柱的下表面位于不同高度的水平上。
7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该多个导电柱具有一第一侧边以及一第二侧边，该第一侧边的长度不等于该第二侧边的长度。
8.如权利要求1所述的封装结构，更包括一导电层，覆盖该介电结构，并与该多个导电柱电性连接。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该多个导电柱各自具有一中心线，该中心线相对于垂直线具有一第一倾斜角以及一第二倾斜角，该第一倾斜角不等于该第二倾斜角。
10.一种内埋元件封装结构，包括：
一介电结构；以及
一元件，内埋于该介电结构中并设有多个导电柱，该多个导电柱各自具有一中心线，该中心线相对于垂直线具有一第一倾斜角以及一第二倾斜角，该第一倾斜角不等于该第二倾斜角。
11.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该元件具有一翘曲量介于10至25微米之间。
12.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该元件设有一重布线层以及一绝缘层，该重布线层设置于该绝缘层上，且该重布线层具有多个电性接垫，该多个导电柱设置于该多个电性接垫上。
13.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该多个导电柱的上表面切齐该介电结构的一上表面，且该多个导电柱的下表面位于不同高度的水平上。
14.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，该多个导电柱自该介电结构的该上表面露出且分别具有一第一厚度及一第二厚度，该第一厚度不等于该第二厚度。
15.如权利要求14所述的封装结构，其特征在于，该第一厚度与该第二厚度相差至少10微米。
16.如权利要求14所述的封装结构，其特征在于，该第一厚度及该第二厚度至少大于3微米。
17.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该多个导电柱具有一第一侧边以及一第二侧边，该第一侧边的长度不等于该第二侧边的长度。
18.如权利要求10所述的封装结构，更包括一导电层，覆盖该介电结构，并与该多个导电柱电性连接。
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