[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；以及

多个布线层，形成在所述半导体衬底上，并且至少包括第一布线层和第二布线层，

其中在所述多个布线层中形成电阻元件，

其中所述电阻元件包括形成在所述第一布线层中的第一导电层、形成在所述第二布线层中的第二导电层、以及将所述第一导电层和所述第二导电层连接在一起的层间导电层的重复图案，以及

其中所述层间导电层由多种材料形成，并且所述多种材料包括正温度系数材料和负温度系数材料中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中电阻元件的所述重复图案形成在第一区域和第二区域中，

其中形成在所述第一区域中的所述重复图案和形成在所述第二区域中的所述重复图案串联耦合，以及

其中形成在所述第一区域中的所述层间导电层的材料与形成在所述第二区域中的所述层间导电层的材料不同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述电阻元件的所述重复图案形成在第三区域中，

其中形成在所述第一区域中的所述重复图案、形成在所述第二区域中的所述重复图案、以及形成在所述第三区域中的所述重复图案串联耦合，

其中形成在所述第三区域中的所述重复图案与旁路开关并联设置，以及

其中形成在所述第三区域中的所述层间导电层的材料是形成在所述第一区域中的所述层间导电层的所述材料、或者是形成在所述第二区域中的所述层间导电层的所述材料。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述布线层包括所述第一布线层和所述第二布线层之间的第三布线层，

其中形成在所述第一区域中的所述层间导电层形成在所述第一布线层和第二所述布线层之间，而不会形成在所述第二布线层和所述第三布线层之间，以及

其中形成在所述第二区域中的所述层间导电层形成在所述第二布线层和所述第三布线层之间，而不会形成在所述第一布线层和所述第二布线层之间。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述布线层包括所述第一布线层和所述第二布线层之间的第三布线层，

其中形成在所述第三区域中的所述层间导电层的所述材料与形成在所述第一区域中的所述层间导电层的所述材料相同，并且形成在所述第三区域中的所述层间导电层形成在所述第一布线层和所述第二布线之间，而不会形成在所述第二布线层和所述第三布线层之间，或者其中，形成在所述第三区域中的所述层间导电层的所述材料与形成在所述第二区域中的所述层间导电层的所述材料相同，并且形成在所述第三区域中的所述层间导电层形成在所述第二布线层和所述第三布线层之间，而不会形成在所述第一布线层和所述第二布线层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述布线层包括所述第一布线层和所述第二布线层之间的第三布线层，以及

其中形成在所述第一布线层和所述第二布线层之间的所述层间导电层的材料与形成在所述第二布线层和所述第三布线层之间的所述层间导电层的材料不同。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述电阻元件还包括具有所述第一导电层、形成在所述第三布线层上的第三导电层、以及连接到所述第一导电层和所述第三导电层的层间导电层的图案，或者具有所述第二导电层、所述第三导电层、以及连接到所述第二导电层和所述第三导电层的所述层间导电层的图案。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述层间导电层包括形成在所述第三布线层上的接合焊盘、耦合到所述第一导电层和所述接合焊盘的第一过孔、耦合所述第二导电层和所述接合焊盘的第二过孔，以及

其中所述接合焊盘的宽度、所述第一过孔的宽度以及所述第二过孔的宽度彼此不同。