[发明专利]半导体器件

说明书

本公开的实施例涉及半导体器件。在模塑封装过程结束后，多晶硅电阻具有大电阻变化率。为了实现高精度微调，期望实现几乎不受通过模塑封装过程在衬底中生成的应力和温度波动影响的电阻。电阻元件形成在多个布线层中，并且具有形成在第一布线层中的第一导电层、形成在第二布线层中的第二导电层、以及连接第一导电层和第二导电层的层间导电层的重复图案，并且层间导电层由多种材料形成。

相关申请的交叉引用

于2018年8月30日提交的包括说明书、附图和摘要在内的日本专利申请号2018-161311的公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种具有形成在布线层中的电阻元件的半导体器件。

背景技术

在振荡电路设置在半导体器件中的情况下，通常提供用于微调振荡电路的频率特性的微调电路。微调电路具有电阻器，并且通过调整电阻器的电阻值，可以将振荡电路的振荡频率设置为每个半导体器件的期望值。作为用于微调电路的电阻元件，用于形成诸如晶体管之类的电路元件的多晶硅电阻器是已知的。多晶硅电阻器的优点在于可以形成多晶硅电阻器而不会使半导体器件的制造工艺复杂化，并且可以在高电阻率和小面积的情况下实现高电阻，但是已知电阻值在模塑封装过程之后波动。这是因为硅芯片上的电阻元件(多晶硅电阻)受到来自模塑树脂的应力，并且电阻值由于形状改变、压电效应等而改变。日本未审专利申请公开2013-229509规定了布置多晶硅电阻器以使多晶硅电阻器从模塑树脂接收的应力最小化的位置。

发明内容

根据日本未审专利申请公开2013-229509，目的是在模塑封装过程结束之后将多晶硅电阻器的电阻变化率从多晶硅电阻器的晶片状态(即，微调完成状态)抑制到大约±0.5％之内。然而，近年来，微调电路所需的精度已经很高，并且希望尽可能地降低电阻变化率。进一步地，在于日本未审专利申请公开2013-229509中公开的技术中，由于可以布置多晶硅电阻器的位置受到约束，所以布局的自由度不可避免地低。另外，由温度变化引起的特性变化也影响振荡电路的振荡频率的精度。为此，传统上已经提供了用于控制振荡频率的温度依赖性的控制电路，但是这增加了电路面积并且还导致芯片的功耗增加。

根据本说明书的描述和附图，其他目的和新颖特征将变得显而易见。

实现了电阻元件，其形成在多个布线层上，在垂直于半导体衬底表面的方向上具有主电阻，并且具有由多种类型的材料构成的主电阻。可以实现在模塑封装过程结束之后具有小电阻变化率以及小温度特性变化的电阻器。

可以实现在模塑封装过程结束之后具有小电阻变化率以及小温度特性变化的电阻器。

附图说明

图1是半导体器件的锁定图。

图2是振荡器电路的电路图。

图3是电阻元件的概念图。

图4是示出了抑制振荡器频率的温度依赖性的原理的图。

图5是电阻元件的示例。

图6是电阻元件的电路图。

图7是使用电阻元件的可变电阻的电路图。

图8是示出了电阻元件的示例的图。

图9是示出了电阻元件的示例的图。

图10是示出了电阻元件的示例的图。

图11是示出了电阻元件的示例的图。

图12是示出了电阻元件的示例的图。

图13是示出了电阻元件的示例的图。

图14是示出了电阻元件的示例的图。