[发明专利]光伏器件互连件、含其的光伏器件及形成互连件的方法在审
申请号: | 201910657450.0 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110808306A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 罗贝尔·费萨齐安;约亨·泰特斯 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 互连 形成 方法 | ||
1.一种光伏器件互连件,具有第一连接区域、第二连接区域和设置在所述第一连接区域和所述第二连接区域之间的重叠区域,所述互连件包括:
导电层,设置在所述第一连接区域、所述第二连接区域和所述重叠区域中,所述导电层包括纳米线导电网;
第一介电层,设置在所述第一连接区域和所述重叠区域中的所述导电层的下表面上;以及
第二介电层,设置在所述第二连接区域和所述重叠区域中的所述导电层的上表面上。
2.如权利要求1所述的互连件,其中所述第一介电层和所述第二介电层包括一种柔性透明介电材料。
3.如权利要求2所述的互连件,其中所述第一介电层和所述第二介电层各自包括:透明聚合物膜、透明非聚合物膜、透明低聚物膜、或其组合。
4.如权利要求1所述的互连件,其中所述纳米线包括:导电金属氧化物纳米线、金属纳米线、或碳纳米管。
5.如权利要求1所述的互连件,其中所述纳米线包括:银、镍、或铜、或其组合。
6.如权利要求1所述的互连件,其中:
所述纳米线具有的平均长宽比的范围是从约10至约1000;并且
所述纳米线具有的平均直径的范围是从约10nm至约500nm。
7.如权利要求1所述的互连件,其中
在所述第一连接区域中,所述导电层的上表面暴露在所述第二介电层的外部;并且
在所述第二连接区域中,所述导电层的下表面暴露在所述第二介电层的外部。
8.如权利要求1所述的互连件,其中所述导电层在所述重叠区域中比在所述第一连接区域和第二连接区域的任一连接区域中具有的纳米线浓度更高。
9.如权利要求1所述的互连件,其中所述导电层具有至少85%的光学透明度。
10.如权利要求1所述的互连件,其中所述纳米线覆盖所述第一介电层的上表面和所述第二介电层的下表面的表面积的至少12%。
11.如权利要求1所述的互连件,其中所述第一介电层的所述表面积小于所述第二介电层的所述表面积。
12.一种光伏器件,包括:
如权利要求1所述的互连件;
导电衬底;
第一太阳能电池,设置在所述衬底的上表面上,所述第一太阳能电池包括设置在阴极和阳极之间的吸收层;并且
其中,在所述第二连接区域中,所述导电层是电连接到所述第一太阳能电池的上表面的。
13.如权利要求12所述的光伏器件,其中所述第一介电层是使用粘合剂而附着到所述第一太阳能电池并且附着到所述第二介电层。
14.如权利要求12所述的光伏器件,其中:
所述吸收层包括p型掺杂铜铟镓硒材料;
所述阴极包括透明导电材料;
所述阳极包括金属;并且
所述太阳能电池还包括缓冲层,所述缓冲层包括n掺杂的半导体材料,所述缓冲层设置在所述吸收层和所述阴极之间。
15.如权利要求12所述的光伏器件,进一步包括设置在导电衬底的上表面上的第二太阳能电池,所述第二太阳能电池包括设置在阳极和阴极之间的吸收层,
其中所述导电层在所述第一连接区域中是电连接到所述衬底的下表面的。
16.如权利要求15所述的光伏器件,其中所述导电层是经由所述第二太阳能电池的所述衬底电连接到所述第二太阳能电池的所述阳极的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的