[发明专利]光伏器件互连件、含其的光伏器件及形成互连件的方法在审
申请号: | 201910657450.0 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110808306A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 罗贝尔·费萨齐安;约亨·泰特斯 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 互连 形成 方法 | ||
一种光伏器件互连件包含第一连接区域、第二连接区域和设置在第一连接区域和第二连接区域之间的重叠区域。该互连件包括设置在该第一区域、该第二区域和该重叠区域中的导电层。该导电层包括纳米线导电网。第一介电层设置在该第一连接区域和该重叠区域中的导电层的下表面上,第二介电层设置在该第二连接区域和该重叠区域中的导电层的上表面上。
领域
本披露总体上涉及光伏器件互连件、含其的器件、及形成其的方法背景
目前正在开发光伏电池(例如,太阳能电池)作为“绿色”能源的一种来源。然而,太阳能电池的根本缺陷是以阵列的方式安装和连接太阳能电池所涉及的困难和费用。
发明内容
根据本披露的不同实施方式,提供了一种光伏器件互连件,该光伏器件互连件具有第一连接区域、第二连接区域和设置在该第一和第二连接区域之间的重叠区域,该互连件包括:导电层,设置在该第一、第二和重叠区域中,该导电层包括纳米线导电网;第一介电层,设置在该第一连接区域和该重叠区域中的导电层的下表面上;第二介电层,设置在该第二连接区域和该重叠区域中的导电层的上表面上。
根据本披露的不同实施方式,提供了一种制造光伏器件互连件的方法,该方法包括:将纳米线溶液涂敷到透明的第一介电层,以在该第一介电层上形成导电的第一子层;将该纳米线溶液涂敷到透明的第二介电层上,以在该第二介电层上形成导电的第二子层;将该第一和第二介电层部分地重叠;并且将该第一和第二介电层的重叠部分彼此粘附,使得该第一子层的一部分与该第二子层的一部分电接触。
附图说明
图1A是根据本披露的不同实施方式的光伏器件的垂直截面图,并且图1B是图1A的器件的俯视图。
图2A-2C是根据本披露的不同实施方式示出了制造互连件的方法的垂直截面图。
图3A和3B是根据本披露的不同实施方式的两个连接的光伏器件100A,100B的垂直截面图。
图4示出了用于形成如图1A所示的太阳能电池的示例性装置。
详细说明
附图未按比例绘制。一个元件的多个实例可以在对该元件的单个实例做出展示的地方进行重复,除非另外明确地描述或清楚地指出元件的重复不存在。诸如“第一”,“第二”和“第三”之类的序数词仅用于标识类似的元件,并且在本披露的说明书和权利要求书中可能采用不同的序数词。如本文所用的,位于一个第二元件“上”的一个第一元件可位于该第二元件表面的外侧上或该第二元件的内侧上。如本文所用的,一个第一元件“直接”位于一个第二元件“上”,如果在该第一元件的表面和第二元件的表面之间存在一个直接的物理接触的话。如本文所使用的,如果元件的结构部件由于其物理和/或电特性而本质上(inherently)能够执行一种功能,则该元件“构造”为执行该功能。
同样将理解的是,当元件或层被称为在另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时,它可以直接在另一元件或层上或直接连接到另一元件或层,或者可以存在多个中间元件或层。相反,当元件被称为“直接在…上”或“直接连接到”另一元件或层时,没有中间元件或层存在。将理解的是,出于本披露的目的,“X,Y和Z中的至少一个”可以被解释为仅X,仅Y,仅Z,或者两个或更多个项X,Y和Z的任意组合。(例如,XYZ,XYY、YZ、ZZ)。
本文中的范围可以表示为从“约”一个特定值,和/或到“约”另一个特定值。当表示为这样的范围时,示例包括从该一个特定值和/或到该另一个特定值。类似地,当通过使用先行词“约”将值表示为近似值时,将理解该特定值形成另一情况。在一些实施方式中,“约X”的值可以包括+/-1%X的多个值。将进一步理解,这些范围每个的端点既在与另一个端点有关的方面,又在独立于另一个端点的方面是显著的。在本文中,元素的“基本上所有”可以指范围为该元素总量从98-100%的元素的量。另外,当组分被称为“基本上不含”某元素时,该组分可以完全不含该元素,或者可以包括痕量(例如,1%或更少)的元素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的