[发明专利]一种高基频石英MASE晶片检测装置在审
申请号: | 201910658098.2 | 申请日: | 2019-07-20 |
公开(公告)号: | CN110244155A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 喻信东 | 申请(专利权)人: | 湖北泰晶电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 441300 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片支撑 探针 底座 晶片检测装置 螺旋调节器 右支架 左支架 测试 基频 石英 光学放大镜 上下调节器 水平调节器 晶片破损 支撑台 检测 | ||
一种高基频石英MASE晶片检测装置,包括底座,所述底座上设置有晶片支撑台,所述晶片支撑台通过水平调节器固定在支撑台基座上,所述晶片支撑台的下方设置有测试下探针和下探针上下调节器,其特征在于:所述晶片支撑台两侧的底座上分别安装有左支架和右支架,所述右支架上安装有光学放大镜,所述左支架上安装有高精度螺旋调节器,所述高精度螺旋调节器的底部安装有测试上探针,所述测试上探针位于晶片支撑台的正上方。本发明结构简单、操作方便、检测效率高、晶片破损率低。
技术领域
本发明涉及晶片检测领域,具体涉及一种高基频石英MASE晶片检测装置。
背景技术
在消费电子、汽车电子、物联网等行发展过程中,晶振作为电子产品基础性核心元器件,向超小型化、超高频、低抖动、低相位噪声方向发展,基于半导体工艺小尺寸高基频MASE晶片,有外形尺寸小2mm以下,双面采用腐蚀加工成凹型结构,凹型区为压电效应振荡区,厚度越薄振荡的频率越高,50MHz以上产品,压电效应振荡区厚度在30微米以下,100MHz以上产品压电效应振荡区厚度小于16微米。传统的机械加工工艺难以满足工艺要求,采用半导体光刻微纳米加工工艺,可以实现晶片尺寸的小型化,超高频,但小尺寸的晶片质量小、难取放、易破损等特点,使得小尺寸晶片的电气特性检测难度很大,实用传统的检测仪器检测效果差,且极易对晶片造成损伤。
发明内容
本发明的目的是克服现技术的缺陷和不足,提供一种结构简单、操作方便、检测效率高、晶片破损率低的高基频石英MASE晶片检测装置。
为实现以上目的,本发明的技术解决方案是:一种高基频石英MASE晶片检测装置,包括底座,所述底座上设置有晶片支撑台,所述晶片支撑台通过水平调节器固定在支撑台基座上,所述晶片支撑台的下方设置有测试下探针和下探针上下调节器,其特征在于:所述晶片支撑台两侧的底座上分别安装有左支架和右支架,所述右支架上安装有光学放大镜,所述左支架上安装有高精度螺旋调节器,所述高精度螺旋调节器的底部安装有测试上探针,所述测试上探针位于晶片支撑台的正上方。
所述高精度螺旋调节器包括位于调节器顶部的粗调旋钮和细调旋钮,所述细调旋钮位于粗调旋钮上方并套接在粗调旋钮内,所述粗调旋钮底部与调节器伸出顶杆固定连接,所述调节器伸出顶杆的底部与链接臂固定连接,所述链接臂的内部安装有弹簧导柱,所述测试上探针固定连接在弹簧导柱的底部。
所述左支架上固定有调节支撑导柱,所述调节支撑导柱与调节器伸出顶杆上方的套筒固定连接,调节支撑导柱上设置有上下滑轨,所述链接臂与上下滑轨滑动连接。
本发明与现有技术相比,具有以下优势:
1、本发明通过高精度螺旋调节器上的粗调旋钮和细调旋钮来精准控制测试上探针的精准位移,整个操作过程在光学放大镜下进行,这样做既能满足探针与晶片的可靠性电接触,保证测试稳定性,又能有效避免操作过程中调整过大,较少造成晶片破损的误操作发生。
2、本发明中的调节支撑导柱和其上的上下滑轨既是对高精度螺旋调节器的有力支撑,同时又提高了调节器的运行稳定度,使得装置的检测效率更高。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明的检测状态示意图。
图中:底座1,晶片支撑台2,水平调节器3,支撑台基座4,测试下探针5,下探针上下调节器6,左支架7,右支架8,光学放大镜9,高精度螺旋调节器10,测试上探针11,粗调旋钮12,细调旋钮13,调节器伸出顶杆14,链接臂15,弹簧导柱16,调节支撑导柱17,上下滑轨18,检测仪器19。
具体实施方式
以下结合附图说明和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
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