[发明专利]一种提高SONOS有源区边角圆度的方法在审
| 申请号： | 201910659090.8 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110391246A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 董立群;张强;刘政红;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择管 边角圆度 光刻胶 半导体结构 牺牲氧化层 非选择 氧化层 源区 去除 半导体结构表面 逻辑器件 层叠层 氮化层 生长 保证 | ||
1.一种提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供含有非选择管区域和选择管区域的半导体结构，所述选择管区域经光刻胶打开为TUN区域；所述非选择管区域上具有光刻胶；所述选择管区域上具有氧化层；
步骤二、去除所述选择管区域上的所述氧化层；
步骤三、去除所述非选择管区域上的光刻胶；
步骤四、在所述半导体结构的表面形成一层牺牲氧化层；
步骤五、去除步骤四中的所述牺牲氧化层；
步骤六、在所述半导体结构表面形成氧化层-氮化层-氧化层叠层。
2.根据权利要求1所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤一中的所述选择管区域和所述非选择管区域具有凸出的STI区。
3.根据权利要求2所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤一中所述非选择管区域与该区域上的光刻胶之间具有一层氧化层。
4.根据权利要求3所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤一中所述非选择管区域上的氧化层厚度大于所述选择管区域表面的氧化层厚度。
5.根据权利要求1所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤一中的所述选择管区域已完成离子注入。
6.根据权利要求1所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤二中去除所述选择管区域上的氧化层的方法为湿法刻蚀。
7.根据权利要求6所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤二中湿法刻蚀量为300埃。
8.根据权利要求1所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤四中在所述半导体结构表面形成所述牺牲氧化层的方法采用ISSG工艺完成。
9.根据权利要求1或8所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤四中形成的所述牺牲氧化层的厚度为60埃。
10.根据权利要求1所述的提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于：步骤五中采用湿法刻蚀的方法去除所述牺牲氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
