[发明专利]一种提高SONOS有源区边角圆度的方法在审

申请号：	201910659090.8	申请日：	2019-07-22
公开（公告）号：	CN110391246A	公开（公告）日：	2019-10-29
发明（设计）人：	董立群;张强;刘政红;黄冠群	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	H01L27/11563	分类号：	H01L27/11563;H01L27/1157
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	戴广志
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	选择管边角圆度光刻胶半导体结构牺牲氧化层非选择氧化层源区去除半导体结构表面逻辑器件层叠层氮化层生长保证
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【说明书】：

本发明提供一种提高SONOS有源区边角圆度的方法：提供含有非选择管区域和选择管区域的SONOS半导体结构，选择管区域光刻胶打开为TUN区域；非选择管区域上具有光刻胶；去除选择管区域氧化层；去除非选择管区域上的光刻胶；在半导体结构的表面利用ISSG工艺形成一层牺牲氧化层之后再去除该牺牲氧化层；在半导体结构表面形成氧化层‑氮化层‑氧化层叠层。该方法可以保证逻辑器件不受影响的情况达到SONOS区AA边角圆度的目的，从而使ONO生长更加均匀，提高器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造工艺，特别是涉及一种提高SONOS有源区边角圆度的方法。

背景技术

现有的SONOS器件ONO(氧化层-氮化层-氧化层)生长前，有源区(AA)边角比较尖锐，在ONO生长后边角(corner)处偏薄，容易导致电压击穿，影响器件可靠性，为提高有源区边角圆度(AA corner rounding)业界普遍采用Double Liner工艺。

但是该工艺是在有源区刻蚀(AA ET)之后，同时会使逻辑区有源区关键尺寸(AACD)变小，对逻辑区造成影响。并且SONOS器件SONOS区域ONO叠层边角处不均匀易产生电压击穿。

因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高SONOS有源区边角圆度的方法，用于解决现有技术中的SONOS器件SONOS区域ONO叠层边角处不均匀易产生电压击穿问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提高SONOS有源区边角圆度的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供含有非选择管区域和选择管区域的半导体结构，所述选择管区域经光刻胶打开为TUN区域；所述非选择管区域上具有光刻胶；所述选择管区域上具有氧化层；步骤二、去除所述选择管区域上的所述氧化层；步骤三、去除所述非选择管区域上的光刻胶；步骤四、在所述半导体结构的表面形成一层牺牲氧化层；步骤五、去除步骤四中的所述牺牲氧化层；步骤六、在所述半导体结构表面形成氧化层-氮化层-氧化层叠层。

优选地，步骤一中的所述选择管区域和所述非选择管区域具有凸出的STI区。

优选地，步骤一中所述非选择管区域与该区域上的光刻胶之间具有一层氧化层。

优选地，步骤一中所述非选择管区域上的氧化层厚度大于所述选择管区域表面的氧化层厚度。

优选地，步骤一中的所述选择管区域已完成离子注入。

优选地，步骤二中去除所述选择管区域上的氧化层的方法为湿法刻蚀。

优选地，步骤二中湿法刻蚀量为300埃。

优选地，步骤四中在所述半导体结构表面形成所述牺牲氧化层的方法采用ISSG工艺完成。

优选地，步骤四中形成的所述牺牲氧化层的厚度为60埃。

优选地，步骤五中采用湿法刻蚀的方法去除所述牺牲氧化层。

如上所述，本发明的提高有源区边角圆度的方法，具有以下有益效果：该方法可以保证逻辑器件不受影响的情况达到SONOS区AA边角圆度的目的，从而使ONO生长更加均匀，提高器件的可靠性。

附图说明

图1显示为本发明的提高SONOS有源区边角圆度的方法流程示意图；