[发明专利]一种大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构在审
| 申请号： | 201910659197.2 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110400793A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张磊;胡涛;田志;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 叠层 电容 光电二极管 沟槽隔离区域 像元 电介质 嵌入 图像传感器 第一层 源区 芯片 高k电介质 电容结构 金属通孔 不兼容 大电容 转移管 堆叠 金属 矛盾 | ||
1.一种大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于，该结构至少包括：
大像元和设于所述大像元之间的叠层电容；
所述大像元包括：有源区；位于该有源区中的光电二极管；所述光电二极管的上方的第一层间电介质；所述光电二极管上方的所述第一层间电介质中设有转移管；
所述光电二极管两侧的区域为沟槽隔离区域；
所述沟槽隔离区域设有所述叠层电容；所述叠层电容通过金属通孔接出。
2.根据权利要求1所述的大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于：所述转移管上连接有金属通孔。
3.根据权利要求1所述的大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于：所述叠层电容的上半部分位于所述第一层间电介质中，下半部分位于所述光电二极管的两侧有源区中。
4.根据权利要求3所述的大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于：所述叠层电容的结构由金属层-电介质-金属层构成。
5.根据权利要求4所述的大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于：构成所述叠层电容的金属层为TiN，构成所述叠层电容的电介质为氮化硅、AL2O3、HfO2或高K电介质中的一种。
6.根据权利要求4所述的大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于：所述高K电介质包括氧化铝或二氧化铪。
7.根据权利要求1所述的大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于：所述大像元的尺寸为3微米以上。
8.根据权利要求1所述的大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于：所述沟槽隔离区域的宽度为0.3-0.5微米。
9.根据权利要求1所述的大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于：该结构还包括覆盖于所述第一层间电介质上的第二层间电介质。
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