[发明专利]半导体装置封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910659592.0 申请日: 2019-07-22
公开(公告)号: CN112018064A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 张勇舜;李德章;赖威宏;施孟铠 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置封装,其包括:

载体,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

导电柱,其安置在所述载体的所述第二表面上;以及

第一封装,其安置在所述载体的所述第二表面上并且覆盖所述导电柱的至少一部分,

其中所述导电柱具有不均匀的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中

所述导电柱具有面向所述载体的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;以及

所述第一表面的宽度小于所述第二表面的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中

所述导电柱具有面向所述载体的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;以及

所述第一表面的宽度大于所述第二表面的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中

所述导电柱具有面向所述载体的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

所述导电柱具有在从所述导电柱的所述第一表面朝向所述导电柱的所述第二表面的方向上锐化的第一部分以及在从所述导电柱的所述第二表面朝向所述导电柱的所述第一表面的方向上锐化的第二部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中

所述导电柱的所述第一部分在所述导电柱的中间部分处或邻近于所述导电柱的中间部分连接到所述导电柱的所述第二部分;

所述导电柱的所述第一表面的宽度与所述导电柱的所述第二表面的宽度基本上相同;以及

所述导电柱的所述第一表面或所述第二表面的宽度大于所述导电柱的所述第一部分和所述第二部分的接头部分的宽度。

6.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中所述导电柱的所述第一部分连接到所述导电柱的所述第二部分,并且所述第一部分与所述第二部分之间的交接面更接近于所述导电柱的所述第一表面。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中

所述导电柱具有面向所述载体的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

所述导电柱具有从所述导电柱的所述第一表面朝向所述导电柱的所述第二表面朝内倾斜的第一横向表面以及从所述导电柱的所述第二表面朝向所述导电柱的所述第一表面朝内倾斜的第二横向表面;以及

所述第一横向表面在所述导电柱的中间部分处或邻近于所述导电柱的中间部分连接到所述第二表面。

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装,其中所述第一横向表面和所述第二横向表面具有弯曲表面。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中

所述导电柱具有面向所述载体的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

所述导电柱具有从所述导电柱的所述第一表面朝向所述导电柱的所述第二表面朝外倾斜的第一横向表面以及从所述导电柱的所述第二表面朝向所述导电柱的所述第一表面朝外倾斜的第二横向表面;以及

所述第一横向表面在所述导电柱的中间部分处或邻近于所述导电柱的中间部分连接到所述第二横向表面。

10.根据权利要求9所述的半导体装置封装,其中所述导电柱的所述第一横向表面和所述第二横向表面的接头部分的宽度大于所述导电柱的所述第一表面或所述第二表面的宽度20%到50%。

11.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括安置在所述载体的所述第二表面上并且由所述第一封装主体覆盖的第一电子组件。

12.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括:

第二电子组件,其安置在所述载体的所述第一表面上;以及

第二封装主体,其安置在所述载体的所述第一表面上并且覆盖所述第二电子组件。

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