[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

说明书

一种半导体装置封装包含载体、导电柱和第一封装主体。所述载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述导电柱安置在所述载体的所述第二表面上。所述第一封装安置在所述载体的所述第二表面上并且覆盖所述导电柱的至少一部分。所述导电柱具有不均匀的宽度。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置封装及其制造方法。更确切地说，本发明涉及包含导电柱的半导体装置封装及其制造方法。

背景技术

导电柱(例如，铜柱)广泛地在用于电连接的半导体装置封装中使用。为了保护导电柱，可以形成模制化合物以覆盖导电柱。然而，在制造半导体装置封装的各种过程期间，应力将被应用于半导体装置封装的组件或结构以在各种方向上弯曲那些组件或结构(例如，弯曲)。因此，分层问题可能出现在模制化合物与导电柱之间，并且在制造过程期间导电柱可能剥离或掉落。

发明内容

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含载体、导电柱和第一封装主体。载体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。导电柱安置在载体的第二表面上。第一封装安置在载体的第二表面上并且覆盖导电柱的至少一部分。导电柱具有不均匀的宽度。

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含载体、导电柱和第一封装主体。载体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。导电柱安置在载体的第二表面上。导电柱具有面向载体的第一表面、与第一表面相对的第二表面，以及在导电柱的第一表面与第二表面之间延伸的第一横向表面。第一封装安置在载体的第二表面上并且覆盖导电柱的至少一部分。第一封装主体具有面向载体的第一表面和与第一表面相对的第二表面。导电柱的第一横向表面并不垂直于第一封装主体的第一表面。

在一或多个实施例中，制造半导体装置封装的方法包含：(a)提供具有安置在其上的晶种层的载体；(b)在晶种层上形成导电柱，导电柱具有不均匀的宽度；以及(c)在晶种层上形成第一封装主体以覆盖导电柱。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本发明的各方面。应注意各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1说明根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图2A说明根据本发明的一些实施例的导电柱的截面图；

图2B说明根据本发明的一些实施例的导电柱的截面图；

图2C说明根据本发明的一些实施例的导电柱的截面图；

图2C'说明根据本发明的一些实施例的导电柱的截面图；

图2D说明根据本发明的一些实施例的导电柱的截面图；

图2E说明根据本发明的一些实施例的导电柱的截面图；

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G和图3H说明根据本发明的一些实施例的制造电子组件的方法的各个阶段。

贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述，本发明将将更显而易见。

具体实施方式

在下文详细论述本发明的实施例的结构、制造和使用。然而，应了解，实施例阐述了可在多种多样的特定情境中实施的许多适用的概念。应理解，以下公开内容提供了实施各种实施例的不同特征的许多不同实施例或实例。下文出于论述的目的描述组件和布置的特定实例。当然，这些仅是实例且并不意图是限制性的。

下文使用特定语言公开图中所说明的实施例或实例。然而，将理解，所述实施例或实例并不意图是限制性的。如相关领域的普通技术人员通常所理解地，所公开的实施例的任何变更以及修改以及本文档中所公开的原理的任何进一步应用处于本发明的范围内。