[发明专利]用于制造微机电设备、特别是电声模块的工艺在审
申请号: | 201910660882.7 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110745775A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | F·夸利亚;M·费雷拉;M·德尔萨尔托 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华;李春辉 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接元件 第二组件 第一组件 再分布 介电区域 裸片 半导体 微机电设备 电声模块 机械耦合 耦合 相对面 延伸 去除 制造 | ||
1.一种用于制造MEMS设备的方法,包括:
形成第一组件,所述第一组件包括:
介电涂层区域,所述介电涂层区域具有第一表面和第二表面;
介电再分布区域,所述介电再分布区域具有第一表面和第二表面,所述介电再分布区域的第一表面接触所述介电涂层区域的第一表面;以及
第一多个单元部分,所述第一多个单元部分彼此被横向间隔开,所述第一多个单元部分中的每个单元部分包括:
相应的裸片,所述相应的裸片被布置在所述介电涂层区域中并且包括对应的电子电路;
多个对应的第一导电连接元件,所述多个对应的第一导电连接元件被定位在所述介电涂层区域中,延伸至所述第一表面,并且被电耦合至所述相应的裸片;
多个对应的第二导电连接元件,所述多个对应的第二导电连接元件被定位在所述介电再分布区域中,并且延伸至所述介电再分布区域的所述第二表面;以及
多个导电再分布路径,所述多个导电再分布路径在所述介电再分布区域中延伸,并且将所述第二导电连接元件连接至所述第一导电连接元件;
形成包括第二多个单元部分的第二组件,所述第二多个单元部分中的每个单元部分包括相应的半导体部分和若干相应的第三导电连接元件;
机械耦合所述第一组件和所述第二组件,使得所述第二组件的每个单元部分的所述第三导电连接元件与所述第一组件的所述单元部分中的对应单元部分的所述第二导电连接元件电接触;以及
在机械耦合所述第一组件和所述第二组件之后,去除所述第二组件的每个单元部分的所述半导体部分的至少一部分,以从所述第二组件的每个单元部分开始形成多个对应的膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述第二组件包括:针对所述第二组件的每个单元部分,形成被电耦合至所述单元部分的所述第三导电连接元件的多个对应的致动器,每个致动器是可电控的并且被配置为引起所述多个对应的膜中的对应膜的变形。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述第二组件的每个单元部分进一步包括相应支撑结构,所述相应支撑结构接触所述单元部分的对应的所述半导体部分并且被机械耦合至所述对应的致动器;并且
在所述第二组件的每个单元部分中,对应的所述第三导电连接元件被布置在所述支撑结构的第一侧面上,所述单元部分的对应的所述半导体部分被布置在所述支撑结构的相对的第二侧面上。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述支撑结构包括至少一个介电层;并且其中,去除所述半导体部分的所述至少一部分从所述第二组件的每个单元部分的所述支撑结构形成所述对应的膜。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第三导电连接元件具有细长形状;并且其中,机械耦合所述第一组件和所述第二组件按照以下方式被实施:所述第二组件的每个单元部分的所述支撑结构与所述介电再分布区域一起界定出腔,对应的所述第三导电连接元件在所述腔中延伸。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二组件的每个单元部分包括在对应的所述半导体部分中延伸的对应的掩埋介电区域,对应的所述半导体部分具有相应的近端表面和相应的远端表面,所述相应的近端表面面向对应的所述第三导电连接元件;并且其中,去除所述第二组件的每个单元部分的所述半导体部分的所述至少一部分包括:
从所述半导体部分的所述远端表面开始去除半导体材料,以暴露所述对应的掩埋介电区域;以及
通过将所述对应的掩埋介电区域用作掩模来选择性地去除其它半导体材料。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述第二组件包括:
提供半导体材料的晶片,所述晶片包括半导体本体,所述半导体本体形成所述第二组件的所述单元部分的所述半导体部分。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述第二组件包括:
将多个预备裸片机械耦合至支撑元件,每个预备裸片形成所述第二组件的对应的单元部分。
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