[发明专利]用于制造微机电设备、特别是电声模块的工艺

说明书

本公开涉及用于制造微机电设备、特别是电声模块的工艺。一种用于制造MEMS设备的工艺包括形成第一组件，第一组件包括：介电区域；再分布区域；以及多个单元部分。第一组件的每个单元部分包括：被布置在介电区域中的裸片；以及多个第一和第二连接元件，它们延伸至再分布区域的相对面并且通过在再分布区域中延伸的路径被连接在一起，第一连接元件被耦合至裸片。工艺进一步包括：形成包括多个相应的单元部分的第二组件，多个相应的单元部分中的每个相应的单元部分包括半导体部分和第三连接元件；机械耦合第一和第二组件，以将第三连接元件连接至对应的第二连接元件；并且然后去除第二组件的每个单元部分的半导体部分的至少一部分，从而形成对应膜。

技术领域

本公开涉及一种用于制造微机电系统(MEMS)设备并且特别是电声模块的工艺。

背景技术

众所周知，如今有许多超声波传感器可用，这些超声波传感器适于传送和接收频率高于20kHz的声波。通常，除了电声类型的换能器之外，超声波传感器还包括适于驱动换能器、以及在接收到回声声信号之后放大由换能器本身产生的电信号的电路。因此，在不同的时间段内，换能器用作声发射器和声接收器两者。

如果我们分别将由换能器传送的声信号(或者声束)和(例如，在由障碍物反射刺激声信号之后)撞击在换能器上的声信号(或者声束)指定为“刺激声信号”和“响应声信号”，已知例如在超声声像领域中，需要能够使刺激声信号聚焦。为了控制在刺激声信号的空间中的发射，已知提供多个换能器(该多个换能器中的每个换能器发射球面声波)，并且利用相对于彼此适当地相移的驱动信号来控制这些换能器，使得由换能器产生的刺激声信号的总和形成具有所需空间分布的声束。

这就是说，为了提高性能，特别是关于放大回声的性能，通常由根据矩阵布置的对应MEMS设备形成的换能器被布置成尽可能靠近电子电路，并且具体地，尽可能靠近电子电路的具有放大由换能器产生的电信号的功能的部分。然而，这是困难的，因为通常使用的换能器的数量很多(大约数千个)。

实际上，由于每个换能器被耦合至形成与换能器相关联的接收器和驱动电路的相应ASIC(专用集成电路)，因此应该管理存在于换能器与被连接至换能器的ASIC之间的数千个连接，从而控制由不同的通道(每个通道被理解为由换能器、对应的驱动电路和对应的接收器形成)引入的延迟以及存在于各个通道之间的抖动。

这就是说，目前已知如下制造工艺：设想处理第一半导体晶片和第二半导体晶片，以在第一晶片中形成多个换能器，并且还在第二晶片中形成多个ASIC。然后，将第一晶片和第二晶片耦合在一起，使得将换能器耦合至对应的ASIC。然而，该工艺的特点是灵活性低，因为其设想针对驱动电路和接收电路两者采用单种制造技术。此外，该制造工艺不允许测试ASIC，除非工艺本身完成。此外，该制造工艺要求第一晶片中的电连接焊盘和第二晶片中的电连接焊盘的节距应该相同。

发明内容

因此，本公开的目的是提供一种用于制造MEMS设备的工艺，其将至少部分地克服现有技术的缺点。

根据本公开，提供了一种制造工艺和一种MEMS设备。

附图说明

为了更好地理解本公开，现在参照附图，仅通过非限制性示例的方式描述其优选实施例，其中：

图1是电声模块的示意性横截面图；

图2是部分去除的重建晶片的示意性顶视平面图；

图3是沿着在图2中示出的截面III-III的线截取的、在图2中示出的重建晶片的一部分的示意性横截面图；

图4是在本制造工艺的步骤期间的半导体晶片的示意性横截面图；

图5至图9是在本制造工艺的连续步骤期间，多晶片组件的示意性横截面图；

图10是在本制造工艺的变型的步骤期间，包括多个裸片的组件的示意性横截面图；