[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

准备工序，准备在正面设定有第一配置区域和第二配置区域的导电板，所述第二配置区域位于高度与所述第一配置区域不同的位置；

涂敷工序，在所述第一配置区域涂敷第一接合材料，并在所述第二配置区域涂敷与所述第一接合材料不同的第二接合材料；以及

接合工序，将第一部件经由所述第一接合材料接合在所述第一配置区域，并将第二部件经由所述第二接合材料接合在所述第二配置区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述涂敷工序具有如下工序：

利用形成有第一开口的第一掩模，经由所述第一开口涂敷所述第一接合材料或所述第二接合材料的工序，所述第一开口对应于所述第一配置区域和所述第二配置区域中位置低的区域；以及

利用形成有第二开口的第二掩模，经由所述第二开口涂敷所述第一接合材料或所述第二接合材料的工序，所述第二开口对应于所述第一配置区域和所述第二配置区域中位置高的区域。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一接合材料和所述第二接合材料是焊料，

所述第二接合材料的液相线温度、助熔剂材料的成分以及助熔剂材料的量中的至少一种与所述第一接合材料不同。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一部件是半导体芯片，所述第二部件是布线部件，

所述第二接合材料的助熔剂材料的量比所述第一接合材料的助熔剂材料的量少。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第二接合材料的液相线温度与所述第一接合材料的液相线温度大致相等。

6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一部件是半导体芯片，所述第二部件是布线部件，

所述第二接合材料的液相线温度比所述第一接合材料的液相线温度高。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第二接合材料的助熔剂材料的量与所述第一接合材料的助熔剂材料的量大致相等。

8.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述布线部件是在内部形成有中空孔的筒状的接触部件、连接销、或者引线框架。

9.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一部件是半导体芯片，所述第二部件是金属块，

所述第二接合材料的液相线温度比所述第一接合材料的液相线温度低。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第二接合材料的助熔剂材料的量与所述第一接合材料的助熔剂材料的量大致相等。

11.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一部件是半导体芯片，所述第二部件是电子部件，

所述第二接合材料的助熔剂材料的量比所述第一接合材料的助熔剂材料的量少。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第二接合材料的液相线温度比所述第一接合材料的液相线温度低。