[发明专利]一种封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种封装方法，其特征在于，包括步骤：

提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成封装层；

采用化学镀于所述封装层的上表面形成化学镀种子层；

于所述化学镀种子层的上表面形成焊盘，所述焊盘之间裸露所述化学镀种子层；

去掉裸露部分的所述化学镀种子层；

采用打线工艺于所述焊盘的上方连接金属线。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：形成所述焊盘的方法包括：于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层；于所述第一窗口内形成金属层；去掉所述掩膜层，以形成所述焊盘。

3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：所述掩膜层包括光刻胶，形成所述图形化的光刻胶的方法包括光刻工艺。

4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：形成所述金属层的方法包括电镀。

5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述焊盘的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述焊盘的厚度介于3μm～15μm之间。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述化学镀种子层的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

8.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述化学镀种子层的厚度介于180nm～220nm之间。

9.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述封装层的材质包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合。

10.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：形成所述封装层的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。

11.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述支撑基底的材质包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种，所述支撑基底的厚度介于800μm～1200μm之间。

12.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：去掉裸露部分的所述化学镀种子层的方法包括化学刻蚀工艺。

13.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述金属线包括金线、铜线中的一种。

14.一种封装结构，其特征在于，包括：

支撑基底；

封装层，形成于所述支撑基底上；

图形化的化学镀种子层，形成于所述封装层的表面；

焊盘，形成于所述化学镀种子层的表面；

金属线，连接于所述焊盘上。

15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于：所述焊盘的厚度介于3μm～15μm之间。

16.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于：所述化学镀种子层的厚度介于180nm～220nm之间。

17.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于：所述支撑基底的厚度介于800μm～1200μm之间。