[发明专利]一种封装结构及封装方法

说明书

本发明提供一种封装结构及封装方法，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成封装层；采用化学镀于所述封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成焊盘，所述焊盘之间裸露所述化学镀种子层；去掉裸露部分的所述化学镀种子层；采用打线工艺于所述焊盘的上方连接金属线。本发明的封装结构及封装方法能够提高焊盘的牢固性，提高焊盘与封装层之间的结合力，从而防止焊盘在后续工序中的脱落现象。

技术领域

本发明属于半导体封装领域，特别是涉及一种封装结构及封装方法。

背景技术

晶圆片级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，简称WLCSP)，即晶圆级芯片 封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20％的体积)， 此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装 后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。晶圆级芯片封装往往需要封装层及焊盘，传统的工艺中， 焊盘和封装层之间的结合力不强，导致焊盘出现脱落现象，严重影响了产品的良品率。

基于以上所述，本发明的目的是给出一种封装结构及封装方法，以解决现有技术的焊盘 脱落问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种封装结构及封装方法，用于 解决现有技术中焊盘脱落问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种封装方法，包括步骤：

提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成封装层；

采用化学镀于所述封装层的上表面形成化学镀种子层；

于所述化学镀种子层的上表面形成焊盘，所述焊盘之间裸露所述化学镀种子层；

去掉裸露部分的所述化学镀种子层；

采用打线工艺于所述焊盘的上方连接金属线。

可选地，形成所述焊盘的方法包括：于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的掩膜层， 所述掩膜层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层；于所述第一窗口内形成金 属层；去掉所述掩膜层，以形成所述焊盘。

可选地，所述掩膜层包括光刻胶，形成所述图形化的光刻胶的方法包括光刻工艺。

可选地，形成所述金属层的方法包括电镀。

可选地，所述焊盘的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

可选地，所述焊盘的厚度介于3μm～15μm之间。

可选地，所述化学镀种子层的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组 合。

可选地，所述化学镀种子层的厚度介于180nm～220nm之间。

可选地，所述封装层的材质包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合。

可选地，形成所述封装层的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、 真空层压及旋涂中的一种。

可选地，所述支撑基底的材质包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶 瓷衬底中的一种，所述支撑基底的厚度介于800μm～1200μm之间。

可选地，去掉裸露部分的所述化学镀种子层的方法包括化学刻蚀工艺。

可选地，所述金属线包括金线、铜线中的一种。

本发明还提供一种封装结构，包括：

支撑基底；

封装层，形成于所述支撑基底上；