[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910662788.5 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110379822B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 张金方;张露;胡思明;韩珍珍 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L23/60;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王欢;刘芳 |
地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区,所述非显示区内设置有静电防护线和公共线,所述静电防护线与所述公共线异层设置且相互电性连接,且所述静电防护线的所在层位于所述显示区内数据线的所在层的下方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板,所述衬底基板上设置有彼此相对的第一电极层和第二电极层,所述显示区和所述非显示区形成在所述第一电极层和所述第二电极层之间。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层之间的所述显示区内依次设置有多晶硅层、第一金属层、源极、漏极、第二金属层和第三金属层;
所述第一金属层形成所述阵列基板的栅极,所述第二金属层形成所述阵列基板的电容,所述第三金属层形成所述阵列基板的所述数据线;
所述第一电极层和所述第二电极层之间的所述非显示区内设置有所述多晶硅层、所述第一金属层和/或所述第二金属层,所述多晶硅层、所述第一金属层和/或所述第二金属层形成所述静电防护线。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述静电防护线和所述公共线在所述衬底基板上的投影至少部分重叠。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述静电防护线与所述公共线通过过孔连接,所述静电防护线和所述公共线在所述衬底基板上的投影的重叠区域覆盖所述过孔在所述衬底基板的投影。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区内设置有栅极驱动电路,所述栅极驱动电路与所述显示区内的栅极电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区内设置有静电防护器件,所述静电防护器件与所述栅极驱动电路电连接。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的显示区内依次形成第一电极层、多晶硅层、第一金属层、源极、漏极、第二金属层、第三金属层和第二电极层;其中,所述第一金属层形成所述阵列基板的栅极,所述第二金属层形成所述阵列基板的电容,所述第三金属层形成所述阵列基板的数据线;
在所述衬底基板的非显示区内依次形成所述第一电极层、公共线、栅极驱动电路、所述第三金属层和所述第二电极层;其中,所述栅极驱动电路与所述公共线电连接;
在所述非显示区内形成所述第三金属层之前,还包括:形成所述多晶硅层、所述第一金属层和/或所述第二金属层,所述多晶硅层、所述第一金属层和/或所述第二金属层与所述公共线异层设置且电连接,并形成所述阵列基板的静电防护线。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910662788.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种阵列基板及其制造方法
- 下一篇:一种阵列基板及OLED显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的