[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，该阵列基板包括显示区和围绕显示区设置的非显示区，非显示区内设置有静电防护线和公共线，静电防护线与公共线异层设置且相互电性连接，且静电防护线的所在层位于显示区内数据线的所在层的下方。本发明能够有效消除阵列基板内GIP电路内积累的静电，避免发生静电击穿现象，维持阵列基板内栅极信号的正常传输，提高阵列基板的良率，保证显示面板的显示稳定性，增强显示装置的显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

在目前的显示技术领域中，TFT-LCD(Thin Flim Transisitor-Liquid CrystalDisplay)薄膜晶体管液晶显示器和OLED(Organic Light Emitting Diode)有机发光二极管显示器具有不同的发光原理，是目前市场中较为主流的两种显示器。

上面两种显示器内均设置有阵列基板，阵列基板的良率直接影响显示器的显示性能。阵列基板一般包括玻璃基板和设置在玻璃基板上的薄膜晶体管层，位于显示区域(Active Area，AA区)内的薄膜晶体管层中铺设有大量的数据信号线，位于非显示区(非AA区)内设置有公共线VSS以及GIP电路(Gate in panel，门面板)，公共线VSS与AA区内的低电平信号线VSS连接，GIP电路与AA区内的栅极信号线连接，用于控制AA区的显示过程。在阵列基板的制程中，公共线VSS和GIP电路设置过程一般是在形成源漏极的第三金属层之前完成。

然而在设置第三金属层之前，GIP电路内部容易产生和积累静电，静电积累量较大时发生静电击穿(Electro-Static Discharge，ESD)现象，导致显示区域内栅极信号传输异常，严重影响阵列基板的良率以及显示面板的显示效果。

发明内容

为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，能够有效消除阵列基板内GIP电路内积累的静电，避免发生静电击穿现象，维持阵列基板内栅极信号的正常传输，提高阵列基板的良率，保证显示面板的显示稳定性，增强显示装置的显示效果。

为了实现上述目的，第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括显示区和围绕显示区设置的非显示区，非显示区内设置有静电防护线和公共线，静电防护线与公共线异层设置且相互电性连接，且静电防护线的所在层位于显示区内数据线的所在层的下方。

本发明提供的阵列基板，通过在设置数据线之前，在非显示区内设置与公共线连接的静电防护线，利用静电防护线将非显示区内在制程或使用过程中产生并积累的静电转移至公共线，从而利用公共线将静电转移至阵列基板的外部，保护了非显示区内栅极驱动电路与显示区内栅极正常的信号传输，提高阵列基板的良率。

在上述的阵列基板中，可选的是，阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有彼此相对的第一电极层和第二电极层，显示区和非显示区形成在第一电极层和第二电极层之间。

通过在阵列基板的第一电极层和第二电极层之间形成显示区和非显示区，并且非显示区围绕显示区设置，从而利于非显示区内的驱动电路与显示区内的信号线电连接，减小了阵列基板的制备难度。

在上述的阵列基板中，可选的是，第一电极层和第二电极层之间的显示区内依次设置有多晶硅层、第一金属层、源极、漏极、第二金属层和第三金属层。

第一金属层形成阵列基板的栅极，第二金属层形成阵列基板的电容，第三金属层形成阵列基板的数据线。

第一电极层和第二电极层之间的非显示区内设置有多晶硅层、第一金属层和/或第二金属层，多晶硅层、第一金属层和/或第二金属层形成静电防护线。

通过在非显示区内设置多晶硅层、第一金属层和/或第二金属层，并将多晶硅层、第一金属层和/或第二金属层作为静电防护线，从而可以简化阵列基板的结构，减小其制备难度，提高制备效率。