[发明专利]一种重新布线层及其制备方法在审
申请号: | 201910663059.1 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN112259465A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 尹佳山;周祖源;吴政达;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/482;H01L21/683 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 重新 布线 及其 制备 方法 | ||
1.一种重新布线层,其特征在于,所述重新布线层至少包括:
金属种子层;
金属线层,位于所述金属种子层的上表面;
塑封层,覆盖所述金属线层以及金属种子层的上表面和侧壁;
其中,所述金属种子层为单一材料。
2.根据权利要求1所述的重新布线层,其特征在于,所述金属种子层的材料为铝或铜,所述金属线层的材料为铝、铝合金、铜或铜合金。
3.根据权利要求1所述的重新布线层,其特征在于,所述金属种子层及所述金属线层的材料相同。
4.根据权利要求所述的重新布线层,其特征在于,所述金属线层为多层金属线互连的金属互连结构。
5.一种重新布线层的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
1)提供一基板,所述基板具有一粘合层;
2)于所述粘合层上表面形成金属种子层;
3)通过涂胶、曝光、显影工艺,于所述金属种子层上表面形成图形化的光刻胶层;
4)于未被所述光刻胶层覆盖的所述金属种子层的上表面形成金属线层;
5)去除所述光刻胶层;
6)去除未被所述金属线层覆盖的所述金属种子层;
7)塑封,形成覆盖所述金属线层以及金属种子层的上表面和侧壁的塑封层。
6.根据权利要求4所述的重新布线层的制备方法,其特征在于,所述方法还包括步骤8)去除所述粘合层及所述基板。
7.根据权利要求4所述的重新布线层的制备方法,其特征在于,所述金属种子层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法。
8.根据权利要求4所述的重新布线层的制备方法,其特征在于,所述金属线层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法。
9.根据权利要求4所述的重新布线层的制备方法,其特征在于,步骤7)中去除所述金属线层未覆盖的所述金属种子层的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。
10.根据权利要求4所述的重新布线层的制备方法,其特征在于,所述基板的材料为玻璃、陶瓷或半导体材料。
11.根据权利要求4所述的重新布线层的制备方法,其特征在于,所述光刻胶层的厚度大于等于所述金属线层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造