[发明专利]一种重新布线层及其制备方法

说明书

本发明提供一种重新布线层及其制备方法，所述重新布线层包括：金属种子层；金属线层，位于所述金属种子层的上表面；塑封层，覆盖所述金属线层以及金属种子层的上表面和侧壁；其中，所述金属种子层为单一材料。采用单一材料制备的金属种子层代替传统的Ti/Cu种子层，以减少湿法刻蚀工艺造成的侧蚀，从而防止因金属线层与基板之间的连接面减少而引起的重新布线层的剥离，减少刻蚀工艺并提高细间距的重新布线层的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术封装领域，尤其涉及一种重新布线层及其制备方法。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型晶圆级封装技术的出现，为技术的提升提供了更广阔的发展前景。

对于高I/O(输入/输出)芯片封装结构而言，需要多层重新布线获得高密度的中介板。然而，在有限的外形形状及封装尺寸下，重新布线层中金属线的线宽及线间距越小意味着可以得到越多的供电轨道。在现有工艺中，一般都使用Ti/Cu种子层作为形成重新布线层的种子层，但由于Ti的刻蚀速率与Cu的刻蚀速率不同，需要分别进行湿法刻蚀。湿法刻蚀具有各向同性，即在向下刻蚀的同时也会向侧边侧蚀，产生侧蚀现象，而两次湿法刻蚀会导致侧蚀现象的加剧，从而导致重新布线层与基板的连接面减小，致使重新布线层容易剥离，

因此，在半导体芯片封装中，如何防止细间距的重新布线层的剥离是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提出一种重新布线层以及制备方法法，用于解决细间距重新布线层易剥离的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种重新布线层，所述重新布线层至少包括：

金属种子层；

金属线层，位于所述金属种子层的上表面；

塑封层，覆盖所述金属线层以及金属种子层的上表面和侧壁；

其中，所述金属种子层为单一材料。

可选地，所述金属种子层的材料为铝或铜，所述金属线层的材料为铝、铝合金、铜或铜合金。

可选地，所述金属种子层及所述金属线层的材料相同。

可选地，所述金属线层为多层金属线互连的金属互连结构。

本发明还提供了一种重新布线层的制备方法，该方法至少包括以下步骤：

1)提供一基板，所述基板具有一粘合层；

2)于所述粘合层上表面形成金属种子层；

4)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述金属种子层上表面形成图形化的光刻胶层；

5)于未被所述光刻胶层覆盖的所述金属种子层的上表面形成金属线层；

6)去除所述光刻胶层；

7)去除未被所述金属线层覆盖的所述金属种子层；

8)塑封，形成覆盖所述金属线层以及金属种子层的上表面和侧壁的塑封层。

可选地，所述方法还包括步骤9)去除所述粘合层及所述基板。

可选地，所述金属种子层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法。

可选地，所述金属线层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法。