[发明专利]晶圆减薄方法在审
| 申请号： | 201910665718.5 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110394910A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 余兴 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减薄 晶圆 键合面 半导体制造技术 晶圆表面 晶圆键合 平整度 割线 键合 预设 种晶 背面 平行 切割 | ||
1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面以及与所述第一键合面相对的第一背面，所述第一键合面与第二晶圆键合；
采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆，以减薄所述第一晶圆至预设厚度。
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆的具体步骤包括：
固定一线锯于所述第一晶圆外部，所述线锯包括所述切割线以及用于承载所述切割线的基座；
保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动，使得所述切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆减薄方法，其特征在于，采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆之前，还包括如下步骤：
沿所述第一晶圆的轴向方向，分别向所述第一晶圆和所述第二晶圆施加压力，以固定所述第一晶圆和所述第二晶圆。
4.根据权利要求3所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述第二晶圆包括与所述第一键合面键合的第二键合面以及与所述第二键合面相对的第二背面；分别向所述第一晶圆和所述第二晶圆施加压力的具体步骤包括：
采用第一吸盘吸附所述第一背面并向所述第一晶圆施加第一压力、同时采用第二吸盘吸附所述第二背面并向所述第二晶圆施加第二压力。
5.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：
驱动所述第一吸盘与所述第二吸盘同步自转，并同时驱动所述第一吸盘和所述第二吸盘沿平行于所述第一键合面的方向平移。
6.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：
驱动所述第一吸盘与所述第二吸盘同步自转，并同时驱动所述基座沿平行于所述第一键合面的方向平移。
7.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：
驱动所述切割线沿第一方向运动，并同时驱动所述基座沿第二方向平移，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述第一键合面，且所述第一方向垂直于所述第二方向。
8.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：
驱动所述切割线沿第一方向运动，并同时驱动所述第一吸盘和所述第二吸盘同步沿所述第二方向平移，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述第一键合面，且所述第一方向垂直于所述第二方向。
9.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述切割线为直线型或环型。
10.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述切割线为直线型，且所述切割线的长度大于所述第一晶圆的直径。
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