[发明专利]晶圆减薄方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆减薄方法。所述晶圆减薄方法包括如下步骤：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面以及与所述第一键合面相对的第一背面，所述第一键合面与第二晶圆键合；采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆，以减薄所述第一晶圆至预设厚度。本发明操作简单，能够极大的缩短减薄时间，而且减少了资源的浪费；另外，能够提高减薄后的晶圆表面的平整度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆减薄方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状一般设置为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，从而成为具有特定电性功能的集成电路产品。在晶圆加工工艺中，晶圆通常要经过减薄后才能进行后续的刻蚀、化学沉积、电镀等加工工艺流程，或者在两片晶圆键合之后，进行晶圆背面减薄工艺。

当前常用的减薄工艺分为物理机械研磨、化学腐蚀和化学机械研磨三种。化学腐蚀减薄工艺仅通过厚度测量反馈来控制晶圆的减薄精度，且目前厚度测量设备分辨率较低，对于较高要求的减薄精度，现有减薄工艺很难实现，难以保证晶圆的减薄精度。物理机械研磨工艺和化学机械研磨工艺都是通过对晶圆进行研磨来达到预设厚度，但是研磨的方式存在如下缺陷：首先，在研磨过程中会产生大量的晶圆碎屑，后续清理较为繁琐，不利于环保；其次，通常需要研磨掉晶圆的大部分，使得最终的晶圆产品轻薄、短小，一方面需要的研磨时间较长，另一方面研磨掉的碎屑只能作为废物进行处理，造成了资源的浪费；另外，研磨后的晶圆表面平整度较差，影响后续工艺的正常进行；而且，机械研磨的方式成本较高，不利于大规模、批量化的生产。

因此，如何简化晶圆减薄工艺，减少资源的浪费，并获得具有良好平整度的晶圆表面，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种晶圆减薄方法，用于解决现有的晶圆减薄方法操作繁琐、易造成资源的浪费、且减薄后晶圆表面性能不佳的问题，以改善最终晶圆产品的良率以及机台产能。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆减薄方法，包括如下步骤：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面以及与所述第一键合面相对的第一背面，所述第一键合面与第二晶圆键合；

采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆，以减薄所述第一晶圆至预设厚度。

优选的，采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆的具体步骤包括：

固定一线锯于所述第一晶圆外部，所述线锯包括所述切割线以及用于承载所述切割线的基座；

保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动，使得所述切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆。

优选的，采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆之前，还包括如下步骤：

沿所述第一晶圆的轴向方向，分别向所述第一晶圆和所述第二晶圆施加压力，以固定所述第一晶圆和所述第二晶圆。

优选的，所述第二晶圆包括与所述第一键合面键合的第二键合面以及与所述第二键合面相对的第二背面；分别向所述第一晶圆和所述第二晶圆施加压力的具体步骤包括：

采用第一吸盘吸附所述第一背面并向所述第一晶圆施加第一压力、同时采用第二吸盘吸附所述第二背面并向所述第二晶圆施加第二压力。

优选的，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：

驱动所述第一吸盘与所述第二吸盘同步自转，并同时驱动所述第一吸盘和所述第二吸盘沿平行于所述第一键合面的方向平移。

优选的，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：