[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：

在处理对象所具有的开口部的侧壁上，利用等离子体形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜的第一步骤；

在所述第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因所述相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜的第二步骤；和

在所述第二步骤后以所述第二膜作为掩模进行蚀刻的第三步骤。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第一步骤中，在形成于所述处理对象上的以比第一成对侧壁窄的间隔相对的第二成对侧壁上，形成厚度比形成在所述第一成对侧壁上的第一膜薄的第一膜，

在所述第二步骤中，在所述第二成对侧壁上形成厚度比形成在所述第一成对侧壁上的第二膜厚的第二膜。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第一步骤中形成所述第一膜，所述第一膜包含作为在所述成膜循环中阻碍第二膜形成的阻碍因素的成分。

4.如权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第一步骤中形成疏水性的所述第一膜。

5.如权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第一步骤中形成含氟的所述第一膜。

6.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第一步骤中利用不含氢而含碳氟化合物的气体形成所述第一膜。

7.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第二步骤中在除去所述第一膜后形成所述第二膜。

8.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

反复执行1次以上包括所述第一步骤和所述第二步骤的流程。

9.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述成对侧壁至少一部分为曲面。

10.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第二步骤中，实施1次以上的原子层沉积循环来形成所述第二膜。

11.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第二步骤中，在处理对象的表面上的自动调节的吸附或反应未结束的处理条件下实施1次以上的亚保形ALD循环来形成所述第二膜。

12.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第一步骤中，利用化学气相沉积来形成所述第一膜。

13.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第一步骤形成具有厚度差的所述第一膜，该厚度差与形成在所述处理对象上的开口部的深宽比、立体角、开口部的宽窄和深度、开口部的面积、图案的疏密、线宽线距比之中的至少一者对应。

14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

存储部，其存储用于执行权利要求1至13中任一项所述的等离子体处理方法的程序，

控制部，其进行控制以执行该程序。