[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效

申请号：	201910665735.9	申请日：	2019-07-23
公开（公告）号：	CN110777361B	公开（公告）日：	2023-08-01
发明（设计）人：	中谷理子;久松亨;石川慎也;熊仓翔;本田昌伸;木原嘉英	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	C23C16/455	分类号：	C23C16/455;C23C16/513;C23C16/30;H01L21/02
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	等离子体处理方法装置
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【说明书】：

本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

技术领域

本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。

背景技术

作为在衬底上进行成膜的方法的一种，已知等离子体增强原子层沉积(PE-ALD：Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)法。包括PE-ALD法在内的各种技术可应用于半导体装置的图案形成。

例如，人们已提出一种利用了ALD以按照形成在被处理衬底上的开口部的位置来有选择地促进成膜的方法(专利文献1)。另外，还有人提出一种有选择地形成SAM(Self-assembled monolayer:自组装单分子膜)，并在之后进行气相蚀刻的方法(专利文献2)。另外，还提出了一种使用离子注入来在3D纳米结构体上有选择地进行成膜的方法(非专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2017/0140983号说明书

专利文献2：美国专利申请公开第2017/0148642号说明书

非专利文献

非专利文献1：Woo-Hee Kim等，A Process for Topographically SelectiveDeposition on 3D Nanostructures by Ion Implantation，ACS Nano 2016,10,4451-4458.

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明提供一种能够实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方面的由等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁(成对的侧壁)彼此的间隔而不同的第一膜。在第一步骤后的第二步骤中，等离子体处理装置实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

发明效果

采用本发明，能够实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的结构的一例的图。

图2A是用于说明ALD中的前体气体的化学吸附步骤的图。

图2B是用于说明ALD中的前体气体的吹扫步骤的图。

图2C是用于说明ALD中使用反应气体进行的活化步骤的图。

图2D是用于说明ALD中的反应气体的吹扫步骤的图。

图3A是用于说明一实施方式的等离子体处理方法中的孵化现象的图(1)。

图3B是用于说明一实施方式的等离子体处理方法中的孵化现象的图(2)。

图3C是用于说明一实施方式的等离子体处理方法中的孵化现象的图(3)。

图3D是用于说明一实施方式的等离子体处理方法中的孵化现象的图(4)。